粉體行業(yè)在線展覽
101706-101711
1萬元以下
MKNANO
101706-101711
951
1cm2-200cm2
單晶尺寸100um2
高校科研院所
高校科研院所
背景介紹:
目前制備高質(zhì)量石墨烯的方法,有膠帶剝離法、碳化硅或金屬表面外延生長(zhǎng)法和化學(xué)氣相沉積法(CVD),前兩種方法效率低,不適于大量制備。而迄今由CVD法制備的石墨烯,一般是由納米級(jí)到微米級(jí)尺寸的石墨烯晶疇拼接而成的多晶材料。
石墨烯優(yōu)異的電、光、強(qiáng)度等眾多優(yōu)異性質(zhì)使其在電子學(xué)、自旋電子學(xué)、光電子學(xué)、太陽能電池、傳感器等領(lǐng)域有著重要的潛在應(yīng)用,但大規(guī)模高質(zhì)量制備技術(shù)是制約其進(jìn)入實(shí)際應(yīng)用的瓶頸之一。
牧科納米技術(shù)團(tuán)隊(duì)經(jīng)過長(zhǎng)時(shí)間的技術(shù)攻關(guān),不用昂貴的金屬基體,在常見的銅襯底,以低濃度甲烷和高濃度氫氣通過常壓CVD法,成功制備出了100微米到幾個(gè)毫米級(jí)六邊形單晶石墨烯及其構(gòu)成的石墨烯薄膜。而且可以轉(zhuǎn)移到任意襯底上,方便取用。
該方法轉(zhuǎn)移的單晶石墨烯具有很高的質(zhì)量,將其轉(zhuǎn)移到Si/SiO2基體上制成場(chǎng)效應(yīng)晶體管,測(cè)量顯示該單晶石墨烯室溫下的載流子遷移率可達(dá)7100cm2V-1s-1。
常見的銅基體上生長(zhǎng)大尺寸單晶石墨烯及其薄膜技術(shù)的突破,為石墨烯基本物性的研究及其在高性能納電子器件、透明導(dǎo)電薄膜等領(lǐng)域的實(shí)際應(yīng)用奠定了材料基礎(chǔ)。
石墨烯單晶表征數(shù)據(jù):
100um級(jí)別石墨烯單晶在銅襯底上的光學(xué)顯微鏡照片:
101688-101691
101754-101759
101742-101747
101736-101741
101724-101729
101730-101735
101712-101717
101718-101723
101700-101705
101706-101711
101692-101698
101684-101687