粉體行業在線展覽
CVD
面議
CVD
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設備特點
1. 升降溫速度快,升溫采用環形紅外短波加熱器,*快升溫速率可達200℃/s,降溫時通過將爐膛退出,實現對產品的快速降溫;
2. 測溫采用精準的S型金屬熱電偶直接測量產品表面,使加熱工件的溫度更加準確;
3. 控制數學控制數學模型采用先進的PID自學習模糊雙閉環控制模式,使控溫精度在快速升溫的恒溫狀態仍能保持在±3℃;
4. 功能多樣化,既可以用于材料的快速升降溫退火,也可用于化學氣相沉積(CVD)法,在鎳或銅箔上制備石墨烯的制備。
設備參數
電源 | AC380~400V,50HZ(60Hz定制) |
**功率 | 15Kw |
額定溫度 | 1100℃ |
使用溫度 | ≤1000℃ |
反應腔室尺寸 | Φ100X200 |
溫場均勻性 | ±3℃ |
溫度控制模式 | 智能模糊全閉環PID控制 |
傳感器內型 | S型單鉑銠 |
*快升溫速率 | 200℃/s |
降溫速率 | 1~200℃/s(通氮氣,速率更快) |
操作方式 | 觸摸屏控制 |
真空系統 | 選配 |
進出氣接口 | Φ6卡套 |
本產品接受非標定制 |