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面議
299
半導(dǎo)體電子器件冷熱沖擊試驗(yàn)箱特別適用于半導(dǎo)體電子器件做溫度破壞測(cè)試,主要測(cè)試半導(dǎo)體電子器件材料結(jié)構(gòu)在瞬間下經(jīng)極高溫及極低溫的連續(xù)沖擊環(huán)境下所能忍受的程度,得以在*短時(shí)間內(nèi)檢測(cè)試樣因熱脹冷縮所引起的化學(xué)變化或物理傷害。本試驗(yàn)箱根據(jù)試驗(yàn)需求及測(cè)試標(biāo)準(zhǔn)分為三箱式和兩箱式,區(qū)別在于試驗(yàn)方式和內(nèi)部結(jié)構(gòu)不同。三箱式分為蓄冷室,蓄熱室和試驗(yàn)室,產(chǎn)品在測(cè)試時(shí)是放置在試驗(yàn)室。兩箱式分為高溫室和低溫室,是通過電機(jī)帶動(dòng)提籃運(yùn)動(dòng)來實(shí)現(xiàn)高低溫的切換,產(chǎn)品放在提籃里,是隨提籃一起移動(dòng)的。
質(zhì)量?jī)?yōu)勢(shì):主要核心配件均采用國(guó)際大品牌的配件如法國(guó)泰康或德國(guó)比澤爾壓縮機(jī),控制器有韓國(guó)三元、日本OYO、臺(tái)灣臺(tái)通三大品牌供客戶選擇,繼電器有日本路宮、和泉、三菱、施耐德,美國(guó)杜邦環(huán)保冷媒,丹麥(DANFOSS)、瑞典(AlfaLaval)等配件,假一罰十,能確保冷熱沖擊試驗(yàn)箱長(zhǎng)期正常高效的運(yùn)行。
半導(dǎo)體器件(semiconductor device)通常,這些半導(dǎo)體材料是硅、鍺或砷化鎵,可用作整流器、振蕩器、發(fā)光器、放大器、測(cè)光器等器材。為了與集成電路相區(qū)別,有時(shí)也稱為分立器件。絕大部分二端器件(即晶體二極管)的基本結(jié)構(gòu)是一個(gè)PN結(jié)。利用不同的半導(dǎo)體材料、采用不同的工藝和幾何結(jié)構(gòu),已研制出種類繁多、功能用途各異的多種晶體二極,可用來產(chǎn)生、控制、接收、變換、放大信 號(hào)和進(jìn)行能量轉(zhuǎn)換。晶體二極管的頻率覆蓋范圍可從低頻、高頻、微波、毫米波、紅外直至光波。三端器件一 般是有源器件,典型代表是各種晶體管(又稱晶體三極管)。
半導(dǎo)體電子器件冷熱沖擊試驗(yàn)箱技術(shù)參數(shù)表:
冷熱沖擊試驗(yàn)箱型號(hào):LQ-TS-80A;LQ-TS-80B;LQ-TS-80C;LQ-TS-150A;LQ-TS-150B;LQ-TS-150CLQ-TS-250A;LQ-TS-250B;LQ-TS-250C;LQ-TS-1000A;LQ-TS-1000B;LQ-TS-1000C
標(biāo)稱內(nèi)容積(升):80;150;250;300
試驗(yàn)方式:氣動(dòng)風(fēng)門切換2溫室或3溫室方式
性能
高溫室預(yù)熱溫度范圍:+60~+200℃
升溫速率:+60→+200℃≤30分鐘
低溫室預(yù)冷溫度范圍:-75-0℃
降溫速率:+20→-75℃≤30分鐘
試驗(yàn)室溫度偏差:±2℃
溫度范圍TSL:(+60→+150)℃→(-40--10)℃;
TSU:(+60~+150)℃~(-55~-10)℃;
TSS:(+60~+150)℃~(-65~-10)℃
溫度恢復(fù)時(shí)間※25分鐘以內(nèi)
試樣擱架承載能力:30kg
試樣重量7.5kg;7.5kg;10kg;10kg
內(nèi)部尺寸(mm):W5006007001000
H4005006001000
D4005006001000
溫度上升和溫度下降均為各恒溫試驗(yàn)箱單獨(dú)運(yùn)轉(zhuǎn)時(shí)的性能。
模擬蒸鍍熱疲勞測(cè)試儀
HTWOS-01G
1186
YN-HJ-80L
洽熱沖擊試驗(yàn)箱