粉體行業在線展覽
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北京賽凡光電儀器有限公司
北京
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EMPro是針對高端研發和質量控制領域推出的**型多入射角激光橢偏儀。
EMPro可在單入射角度或多入射角度下進行高精度、高準確性測量。可用于測量單層或多層納米薄膜樣品的膜層厚度、折射率n和消光系數k；也可用于同時測量塊狀材料的折射率n和消光系數k；亦可用于實時測量快速變化的納米薄膜動態生長中膜層的厚度、折射率n和消光系數k。多入射角度設計實現了納米薄膜的**厚度測量。
EMPro采用了量拓科技多項**技術。
特點：
原子層量級的極高靈敏度
百毫秒量級的快速測量
簡單方便的儀器操作
技術指標：
項目 | 技術指標 |
儀器型號 | EMPro31 |
激光波長 | 632.8nm (He-Ne Laser) |
（1）膜層厚度精度 | 0.01nm (對于平面Si基底上100nm的SiO2膜層) |
（1）折射率精度 | 1x10-4 (對于Si基底上100nm的SiO2膜層) |
單次測量時間 | 與測量設置相關，典型0.6s |
結構 | PSCA（Δ在0°或180°附近時也具有極高的準確度） |
激光光束直徑 | 1mm |
入射角度 | 40°-90°可手動調節，步進5° |
樣品方位調整 |
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樣品臺尺寸 | 平面樣品直徑可達Φ170mm |
**的膜層范圍 |
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**外形尺寸 | 887 x 332 x 552mm (入射角為90º時) |
儀器重量（凈重） | 25Kg |
選配件 |
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軟件 | ETEM軟件：
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注：(1)精度：是指對標準樣品上同一點、同一條件下連續測量25次所計算的標準差。
性能保證：
