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XR-100CR系列產(chǎn)品無需采用昂貴的低溫制冷系統(tǒng)即可獲得非常優(yōu)越的性能，它標(biāo)志著X射線探測器生產(chǎn)技術(shù)上的一個(gè)突破。

產(chǎn)品特性：

1. 硅PIN光電二極管探頭；

2. 兩級(jí)熱電致冷器；

3. 探頭溫度實(shí)時(shí)顯示；

4. 鈹（Be）窗；

5. 多層準(zhǔn)直器；

6. 密封封裝（TO-8）；

7. 檢測范圍寬，適于多種應(yīng)用；

8. 操作簡單，易上手。

應(yīng)用范圍：

1. X射線熒光分析；

2. RoHS/WEE標(biāo)準(zhǔn)檢測；

3. 便攜式設(shè)備；

4. OEM應(yīng)用；

5. 核醫(yī)療學(xué)；

6. 高校和科研院所教學(xué)研究；

7. 藝術(shù)和考古學(xué)；

8. 生產(chǎn)過程監(jiān)控；

9. 穆斯堡爾譜儀；

10. 航空及宇航應(yīng)用；

11. 核電站輻射監(jiān)控；

12. 有毒物垃圾場檢測；

13. 粒子誘發(fā)X射線熒光分析（PIXE）。

配件：

1. MP1型X射線熒光分析系統(tǒng)裝配平臺(tái)

2. 真空應(yīng)用相關(guān)配件；

3. 準(zhǔn)直套裝（高通量應(yīng)用）；

4. 實(shí)驗(yàn)室XRF開發(fā)套裝；

XRF設(shè)備由此開始 ... ...

簡要理論說明

入射的X射線會(huì)和硅原子相互作用，X射線能量每損失3.62eV就會(huì)在硅晶體產(chǎn)生一個(gè)電子-空穴對(duì)。隨著入射能量的不同，能量損失或以光電效應(yīng)為主，或以康普頓散射(Compton scattering)為主。而探測器吸收X射線能量并產(chǎn)生電子-空穴對(duì)的幾率（即探測效率）隨著硅的厚度增大而變大。

為提高電子-空穴隊(duì)收集效率，需要在硅晶體上加約100到200伏的電壓，而具體大小則取決于硅的厚度。在室溫下工作時(shí)，該偏壓對(duì)半導(dǎo)體而言過高，很可能漏電甚至擊穿硅晶體。但在XR-100CR型探測器中**應(yīng)用了熱電制冷技術(shù)，保證探頭在低溫下工作，這樣漏電流大大減少，從而可以實(shí)現(xiàn)在高偏壓下的正常工作。另外高偏壓還能降低探測器的電容，進(jìn)而降低系統(tǒng)噪聲。

熱電制冷器同時(shí)對(duì)硅探測器以及場效應(yīng)晶體管（為電荷敏感前置放大器提供輸入）進(jìn)行冷卻。對(duì)場效應(yīng)管的冷卻能減少它的漏電流，同時(shí)能增加跨導(dǎo)（transconductance），二者都能減少系統(tǒng)的電子學(xué)噪聲。

實(shí)際上光電二極管探測器無法直接光學(xué)自復(fù)位，因此XR-100CR系列產(chǎn)品應(yīng)用一種新穎的反饋控制方法來實(shí)現(xiàn)電荷敏感前置放大器的自復(fù)位。沒有繼續(xù)采用傳統(tǒng)產(chǎn)品中的復(fù)位晶體管，而是通過發(fā)射一個(gè)精確的電荷脈沖到場效應(yīng)管中來實(shí)現(xiàn)自復(fù)位，其中利用了到探測器的高壓連接和探測器電容。該方法避免了自復(fù)位晶體管的噪聲問題，系統(tǒng)的能量分辨率進(jìn)一步提高。

利用熱電制冷的探測器內(nèi)部元件的溫度會(huì)隨著室溫的變化而改變，故為即時(shí)監(jiān)控這些元件的溫度，在硅基底上還安裝了一個(gè)用于溫度監(jiān)控的二極管芯片。低于-20^oC的情況下，XR-100CR的性能在幾攝氏度的范圍內(nèi)都不會(huì)有明顯變化，故在通常室溫條件下使用時(shí)無需采用閉合環(huán)路的溫度反饋控制電路，但在OEM手持式X射線熒光譜儀設(shè)備應(yīng)用中則強(qiáng)烈推薦使用溫度反饋控制電路。主動(dòng)溫度控制（ATC）模塊在PX2CR中是可選的，而在PX5中是默認(rèn)標(biāo)配的。

產(chǎn)品參數(shù)

XR-100CR 連接器接口

選配組件

XR100CR的數(shù)字脈沖處理器和電源模塊