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設備概述

　　反應離子刻蝕（RIE）是利用射頻放電使反應氣體電離產生活性離子，利用活性離子與工件表面材料進行化合生成揮發性產物被真空泵抽走，從而實現對工件表面材料的去除，屬干法刻蝕設備。廣泛應用于半導體器件、電力電子器件、光電子、太陽能電池、微機械等領域。

設備特點

●反應壓力恒定、自動控制，工藝重復性好

●工藝氣體噴淋耦合，刻蝕均勻性好

●工藝過程自動控制，操作簡單、方便

技術指標

●適用晶片尺寸：4"～8"；

●均勻性: ± 5%(片內), ± 3%(批間)

●基片臺冷卻:水冷

應用范圍

　　用于在基板表面拋光或材料的去除，尤其適用于非金屬材料、氧化物薄膜的快速刻蝕，如多晶硅、SiO2、Si3N4等。