粉體行業在線展覽
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束蘊儀器（上海）有限公司
德國
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681
MDPmap是一個緊湊的離線臺式檢測設備，主要被設計用于生產控制或研發、測量少子壽命、光電導率、電阻率和缺陷信息等參數。其工作狀態為穩態或短脈沖激勵下（μ-PCD）。
MDPmap自動化的樣品識別和參數設置可以使該儀器方便地適應各種不同的樣品，包括從生長的晶圓到高達95%的金屬化晶圓之間不同制備階段的各種外延片和晶圓片。
MDPmap主要優點是其高度的靈活性，它允許集成多達4個激光器，用于從超低注入到高注入的與注入水平相關的壽命測量，或者通過使用不同的激光波長提取深度信息。
設備特點▼
>>靈敏度：對外延工藝監控和不可見缺陷檢測，具有可視化測試的較高分辨率
>>測量速度：6英寸硅晶圓片，1mm分辨率 ，小于5分鐘
>>壽命測試范圍: 20納秒到幾十毫秒
>>沾污檢測：源自坩堝和生長設備的金屬(Fe)污染
>>測量能力：從初始切割的晶圓片到所有工藝加工的樣品
>>靈活性：允許外部激光通過觸發器，與探測模塊耦合
>>可靠性：模塊化和緊湊臺式儀器，更高可靠性，正常運行時間> 99%
>>重現性： > 99.5%
>>電阻率：無需時常校準的電阻率面掃描
Lifetime map of passivated multicrystalline silicon
Iron contamination map of multicrystalline silicon
Bor oxygen map of mono silicon
Trap density map of mono silicon
設備參數▼
樣品尺寸 | 5mm—300mm（300mm為標配，可根據需求提升至450mm） |
壽命范圍 | 20ns到幾毫秒 |
電阻率 | 0.2 - 103 Ohm cm |
電導類型 | p/n |
材質 | 硅晶圓，外延層，部分或完全加工晶圓，化合物半導體等 |
測量屬性 | 少數載流子壽命、光電導性 |
激勵源 | 可選四種不同波長（355nm—1480nm），默認值為980nm |
大小 | 680 x 380 x 450 mm， 重量: 65 kg |
電源 | 100-250V，50/60 Hz， 5A |
