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集成電路

1) 用于超小型MOS晶體管的柵側(cè)壁和絕緣體.

1) 由于SiNx中H含量較低，MOS晶體管的壽命延長(zhǎng)了2個(gè)數(shù)量級(jí)。

尚未實(shí)現(xiàn)大規(guī)模生產(chǎn)

化合物半導(dǎo)體器件

1) GaN、GaAs等超高頻晶體管的鈍化.

1) 通過(guò)減少鈍化層以下的表面損傷來(lái)提高GaN或GaAs晶體管的截止頻率和可用功率。

1) 和 2) 都實(shí)現(xiàn)了產(chǎn)業(yè)化應(yīng)用.

2) 用于光通信的激光器鈍化

2) 通過(guò)減少損傷增加能量和壽命

顯示器

1) a-Si TFT (非晶硅薄膜晶體管),

1) 具有較大的開(kāi)關(guān)比，可實(shí)現(xiàn)低關(guān)斷電流和高穩(wěn)定性。

1) 尚未產(chǎn)業(yè)化

2) 沉積態(tài)的薄膜晶體管.

2) 遷移率超過(guò)40cm2/Vs。

2) 尚未產(chǎn)業(yè)化

3)有機(jī)電致發(fā)光器件上的氣體阻擋膜.

3) OLED壽命超過(guò)15,000小時(shí)。

3) 尚未產(chǎn)業(yè)化

4) 復(fù)印機(jī)用感光鼓

4) 氣體利用效率高，高速沉積。

4) 小規(guī)模生產(chǎn)

太陽(yáng)電池

1) 薄膜太陽(yáng)能電池.

1) HWCVD的沉積速率快，氣體利用率比PECVD高一個(gè)量級(jí).

1) 尚未產(chǎn)業(yè)化

2) 晶體硅太陽(yáng)電池中的鈍化層和減反射層.

2) 用HWCVD鍍的膜具有極低的表面復(fù)合速率 velocity <0.2 cm/s .

2) 尚未產(chǎn)業(yè)化

3) 非晶硅/晶體硅異質(zhì)結(jié)太陽(yáng)電池

3) 無(wú)等離子體損傷、氣體利用率高

3) 大規(guī)模批量生產(chǎn)

機(jī)械工程

1) 汽車用鍍金屬鍍層的替代涂裝方法。

1) 混合動(dòng)力轎車采用HWCVD鍍膜后，鍍層壽命比傳統(tǒng)鍍金屬提高1個(gè)數(shù)量級(jí)。

1) 技術(shù)開(kāi)發(fā)中

2) 在剃須刀上涂上涂層。

2)在不犧牲銳度的情況下，制造出低摩擦表面。

2) 高檔剃須刀已產(chǎn)業(yè)化

其他應(yīng)用

1) 去除光刻膠。

1) 用HWCVD法去除經(jīng)高劑量離子注入后的光刻膠，且不會(huì)有任何殘留。

1) 相關(guān)設(shè)備已制造。

2) 表面清潔。

2) 清潔遠(yuǎn)紫外光刻的反射鏡表面

2) 在遠(yuǎn)紫外光刻設(shè)備中應(yīng)用.

3) 改善噴墨或絲網(wǎng)印刷金屬線的電阻率。

3) 用HWCVD進(jìn)行氫處理可以在室溫下形成低電阻率的Cu或Ag金屬線。

3)產(chǎn)業(yè)化推進(jìn)中

4) HWCVD法實(shí)現(xiàn)在c-Si中的低溫P或B摻雜

4) 通過(guò)熱絲裂解PH3或B2H6，可以在80℃條件下將P或B原子摻雜到c-Si中。

4)研究起步