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鈣鈦礦太陽能電池蒸發(fā)設(shè)備ZDF3200
面議
北京泰科諾
鈣鈦礦太陽能電池蒸發(fā)設(shè)備ZDF3200
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鍍膜方式:蒸發(fā)
腔室結(jié)構(gòu):方箱式
工藝室尺寸:L1900mmxH2200mmxW550mm
進(jìn)樣室:500mm×600mm×400mm
過渡室:500mm×600mm×400mm
極限真空:6×10-5pa
基片臺(tái)尺寸:300mm×400mm
基片溫度:常溫
均勻性:≤±5.0%
濺射靶:低溫和高溫線源配置
控制:PC
點(diǎn)地面積:4000mm×2500mm×2200
功率:70KW三相五線制
1. 技術(shù)先進(jìn)、設(shè)計(jì)優(yōu)化,性價(jià)比高,性能穩(wěn)定,使用維護(hù)成本低;
2. 廣泛應(yīng)用于鈣鈦礦太陽能電池/OPV有機(jī)太陽能電池等各種膜層的制備;
如:鈣鈦礦層、電子傳輸層及背電極等膜層的制備;
大面積平板鍍膜設(shè)備JCPF3500
真空退火爐/釬焊爐VTHK350
真空電弧爐VDK250
多功能磁控離子濺射復(fù)合鍍膜機(jī)TSU650
熱絲CVD金剛石膜沉積設(shè)備HF1200
熱絲CVD金剛石膜沉積設(shè)備HF700
熱絲CVD金剛石膜沉積設(shè)備HF600
熱絲CVD金剛石膜沉積設(shè)備HF450
高真空磁控濺射鍍膜設(shè)備JCPY500
高真空磁控濺射鍍膜設(shè)備JCP350
電阻蒸發(fā)鍍膜設(shè)備
高真空磁控濺射鍍膜設(shè)備JCP200
TEM 熱、電、氣、液、冷凍樣品桿
合金分析儀
SHM1000
其他
NAI-ZLY-4/6C
CX-100
EMC-1
HMYX-2000
GPZT-JH10/4W
NJ-80型
X-300 X-FLUXER? 三位全自動(dòng)熔片儀
NVT-HG型 單晶生長爐