粉體行業(yè)在線展覽
面議
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脈沖等離子PulsPlasma?系統(tǒng)包括真空爐室,輔助加熱系統(tǒng),保溫系統(tǒng),溫度測(cè)量系統(tǒng),鐘罩提升系統(tǒng),工藝氣體循環(huán)系統(tǒng),冷卻系統(tǒng),工藝控制系統(tǒng)以及離子發(fā)生器系統(tǒng)。這其中的離子發(fā)生器系統(tǒng)是普發(fā)拓普公司的**設(shè)計(jì),可以完全避免打弧現(xiàn)象的發(fā)生而且節(jié)能效果明顯。爐體可以是鐘罩式設(shè)計(jì),也可以是井式爐或臥式設(shè)計(jì)。根據(jù)設(shè)備的大小,加熱控制區(qū)至少配有三組獨(dú)立控制升溫和降溫的加熱器,通過(guò)這些獨(dú)立控制的加熱器獲得**的均溫性。
工藝特點(diǎn):
通過(guò)熱壁技術(shù)實(shí)現(xiàn)良好的均溫性
工藝氣體消耗少,沒(méi)有污染氣體
靈活的滲氮溫度,溫度范圍 300 ℃ - 800 ℃
白亮層可控
可處理不銹鋼
可處理燒結(jié)鋼
可以在同一爐工藝集成脈沖離子氮化-氧化工藝
設(shè)備特點(diǎn):
不產(chǎn)生打弧,工件表面無(wú)破壞
獨(dú)特的加熱和控制系統(tǒng),至少3區(qū)獨(dú)立的加熱和冷卻區(qū)域
控制區(qū)溫度均勻分布
獨(dú)有的PulsPlasma?電源,電壓和電流近乎方波,幾微妙內(nèi)獲得
設(shè)定的全部脈沖電流,主動(dòng)抑制打弧監(jiān)測(cè)(開(kāi)關(guān)時(shí)間< 0.1 μs)
電源可升級(jí)至5年質(zhì)保
可在低溫下對(duì)工件表面進(jìn)行等離子清洗
設(shè)備布局緊湊,節(jié)省空間,所有部件集成在一個(gè)基礎(chǔ)框架內(nèi)
模塊化設(shè)計(jì),提供單室型、交替型和雙室型設(shè)備
特殊航天保溫材料,熱容量低,功率損耗低,節(jié)省重量
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