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  2023年全國兩會正在召開中，以“雙碳”目標為導向，推進綠色低碳高質量發展是今年兩會熱點，部分全國人大代表、政協委員亦在兩會上就光伏產業如何實現高質量發展，落實“雙碳目標”積極建言獻策。

  碳化硅物化性質優越，光伏原材料迭代升級。與傳統的Si材料相比，SiC具有【極高的擊穿電壓】和【較低的導通電阻】，因而其功率器件擁有更好的開關效率并且能高效地進行熱量積累。碳化硅制造的【高電壓MOSFET】具有優越的開關性能，其功能不受溫度影響，由此能很好地在升溫系統中保持穩定效力

  碳化硅是第三代半導體產業發展的重要基礎材料。通過氣流粉碎機等一些列操作，得到新型的材料。

“導電型碳化硅襯底可使電動車的續航能力大幅提升，在電動車領域應用前景比較好，其次半絕緣型碳化硅襯底具有耐高頻、耐高壓的特性，能很好地滿足5G基站的需求。由于這些很好的特性也廣泛用于多個重要的前沿技術領域，因而具有非常良好的市場價值。
      碳化硅屬于超硬材料，硬度很大,莫氏硬度為9.5級，僅次于世界上最硬的金剛石（10級），因此在對碳化硅的制備中，其設備的耐磨性便是用戶最為關注的特點，在碳化硅的粉碎分級加工中，傳統的機械粉碎設備，其粉碎達不到所需精度，且設備耐磨性差，所以不能用于碳化硅的粉碎。目前用于碳化硅超細粉碎分級的常用設備是山東摩克立氣流粉碎機，經過多年的應用證明，氣流粉碎機用于碳化硅的粉碎分級，具有高精度、高效率、耐磨性好、設備性能穩定的優勢，在碳化硅加工行業中擁有良好口啤。