鋰電池電極由各種類型的粉末制備合成,對(duì)粉末材料表面進(jìn)行包覆已經(jīng)成為提高電池性能的有效策略。尤其在固態(tài)電池中,固體電解質(zhì)顆粒(SSA) 和電極組合之間的界面兼容性問題仍然存在,通過(guò)界面涂層可有效地解決這一問題。
因此,電極表面工程作為一項(xiàng)新興技術(shù),有望提高電池的性能和安全性。原子層沉積(ALD)技術(shù)已被證明是在亞納米尺度上制造無(wú)機(jī)薄膜的高效方法,可在平面甚至高曲率的顆粒表面控制薄膜厚度以及均勻性。
原子層沉積(ALD)包覆能保證超薄的均勻涂層
01
電極材料包覆的必要性
在充放電周期中,大多數(shù)電池遇到的常見的與電極相關(guān)的問題是:電極體積的巨大變化導(dǎo)致的機(jī)械疲勞以及不穩(wěn)定的固體電解質(zhì)界面(SEI)和電解質(zhì)界面(CEI)層的形成。
無(wú)論是由于 SEI 自身的不穩(wěn)定性質(zhì)還是電極的體積波動(dòng),都可能導(dǎo)致電解質(zhì)和電極表面之間的不間斷接觸,進(jìn)而引發(fā)的副反應(yīng)會(huì)消耗電解質(zhì),并使電極退化,最終導(dǎo)致電池失效。
此外,在循環(huán)過(guò)程中,穩(wěn)定的 SEI 在界面處的絕緣性質(zhì)的積累會(huì)增加整體電池電阻,導(dǎo)致更高的過(guò)電位和容量衰減。通過(guò)沉積超薄涂層作為人工 SEI/CEI (ASEI/ACEI)來(lái)改變電解質(zhì)電極界面(EEI)是解決電池界面問題的有效策略。
界面問題是導(dǎo)致電池失效的重要因素
02
選擇粉末涂層還是極片涂層
實(shí)際使用時(shí),電極粉料混合添加劑制成漿料,并進(jìn)行涂布形成極片。電解質(zhì)滲透到電極的多孔結(jié)構(gòu)中,一方面有利于離子的傳輸,另一方面也為電解質(zhì)的分解和 SEI 的形成提供了更大的表面積。大的表面積導(dǎo)致較差的 SEI 鈍化,進(jìn)而刺激電解質(zhì)分解,最終使得循環(huán)壽命很差。因此結(jié)合實(shí)際情況衍生出兩種涂層改性的策略:
1 直接應(yīng)用于成品電極的表面的涂層技術(shù)(DC:Direct Coating)
2 對(duì)電極顆粒先進(jìn)行修飾改性
(PC:Particle Coating)
左:顆粒包覆電極 右:平面涂層電極
為了便于識(shí)別通過(guò)這兩種涂層改性策略獲得的電極,我們將平面涂覆電極稱為“DC”電極,將粉末涂覆電極稱為“PC”電極。而原始的未涂層電極被稱為“UC”電極。下圖展示了電極和電解質(zhì)中電子的相對(duì)能量以及 UC 電極可以達(dá)到熱力學(xué)穩(wěn)定的氧化和還原電位區(qū)域。這是因?yàn)樵谶€原電位 μA 以上,負(fù)極會(huì)還原電解質(zhì),而在氧化電位 μC 以下,正極則會(huì)氧化電解質(zhì)。如果添加鈍化層(例如在 DC 和 PC 電極的情況下)阻礙 SEI 的電子轉(zhuǎn)移,則可以防止這種不穩(wěn)定的氧化還原反應(yīng),從而維持電極的穩(wěn)定。
電極的熱力學(xué)穩(wěn)定區(qū)域的能量圖示意圖,還原電位以上和氧化電位以下的區(qū)域需要 ACEI 來(lái)保持動(dòng)力學(xué)穩(wěn)定
Jung 等人在早期報(bào)告中將鈷酸鋰(LiCoO2)的 UC 陰極與 PC 和 DC Al2O3 包覆的 LiCoO2 陰極進(jìn)行了比較。在報(bào)告中,PC 比 DC 表現(xiàn)出更好的容量保持率。之后,Jung 等人報(bào)道了使用 DC 方法改性的 LiCoO2 和天然石墨(NG)電極比 PC 電極具有更好的循環(huán)性能。同樣,在一些報(bào)告中認(rèn)為 PC 電極具有更好的性能,特別是在高溫環(huán)境下;也有一些報(bào)告則認(rèn)為 DC 策略更好。
綜上所述,直接對(duì)涂布好的電極進(jìn)行涂層修飾的路線(DC)似乎有利于絕緣涂層材料,但該方法不適用于較高的沉積溫度,因?yàn)檫@會(huì)導(dǎo)致極片中的粘結(jié)劑分解。
但對(duì)于 ALD 工藝而言,過(guò)低的沉積溫度會(huì)導(dǎo)致不均勻性和化學(xué)氣相沉積(CVD) 產(chǎn)生。因此,需要更高的沉積溫度、極薄和更好導(dǎo)電材料涂層的情況下,粉末包覆(PC)策略更可行。
而在實(shí)際生產(chǎn)中,極片的涂層制造(DC)依賴卷對(duì)卷 ALD 設(shè)備的成熟,但目前,量產(chǎn)型卷對(duì)卷設(shè)備依然有待驗(yàn)證。而類似半導(dǎo)體或光伏 ALD 領(lǐng)域使用的片對(duì)片式設(shè)備,需要對(duì)極片進(jìn)行裁剪,是否適用于大規(guī)模量產(chǎn),還有待驗(yàn)證。
電極極片的卷對(duì)卷設(shè)備(上)以及傳統(tǒng)的批次片對(duì)片式 ALD 設(shè)備(下)
下篇文章我們將為大家詳細(xì)介紹粉末原子層沉積(PALD)工藝及其在電極材料包覆中的應(yīng)用。
03
關(guān)于 Forge Nano
Forge Nano 專注于粉末原子層沉積技術(shù)(PALD),憑借其專有的 Atomic Armor? 技術(shù),能夠使產(chǎn)品開發(fā)人員設(shè)計(jì)任何材料直至單個(gè)原子。Atomic Armor? 工藝生產(chǎn)的卓越表面涂層使合作伙伴能夠釋放材料的最佳性能,實(shí)現(xiàn)延長(zhǎng)壽命、提高安全性、降低成本和優(yōu)化產(chǎn)品的功能。其科學(xué)家團(tuán)隊(duì)與廣泛的商業(yè)合作伙伴合作開發(fā)定制解決方案,能夠滿足任何規(guī)模的任何需求,包括從小規(guī)模研發(fā)和實(shí)驗(yàn)室級(jí)別到工業(yè)規(guī)模、大批量生產(chǎn)。
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參考文獻(xiàn)
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