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隨著科技的不斷進(jìn)步，半導(dǎo)體晶圓作為現(xiàn)代電子工業(yè)的核心部件，其加工工藝與材料制備技術(shù)日益受到關(guān)注。

本文將探討光刻膠、拋光液、鋯鈦酸鉛等關(guān)鍵半導(dǎo)體晶圓制備材料的制備工藝和方法。

并著重闡述博億研磨與分散設(shè)備在這些材料制備過程中的重要作用及其技術(shù)亮點(diǎn)。

01

關(guān)鍵半導(dǎo)體材料的制備工藝簡述

光刻膠色漿：光刻膠色漿的制備是一個(gè)涉及復(fù)雜化學(xué)反應(yīng)和精細(xì)工藝控制的過程。

首先，根據(jù)預(yù)設(shè)配方，將顏料、分散劑、溶劑等原料混合，形成初步混合物。

隨后，該混合物被置于博億砂磨機(jī)中，經(jīng)過研磨分散，使粒子達(dá)到所需的粒度分布。

在嚴(yán)格控制的溫度和攪拌條件下，進(jìn)行化學(xué)反應(yīng)，確保各組分充分反應(yīng)，形成均勻的光刻膠溶液。

為了進(jìn)一步優(yōu)化粒子細(xì)度和分散性，混合物還需經(jīng)過高壓微射流均質(zhì)分散處理。

之后，通過濾芯對研磨和均質(zhì)分散后的漿料進(jìn)行過濾，去除大顆粒、金屬離子等污染物，以確保光刻膠的純凈度。

光刻膠用色漿的粒徑大小、粒徑分布、均一性等因素對光刻膠性能以及后續(xù)工藝起著重要作用。

在此過程中，博億砂磨機(jī)發(fā)揮著關(guān)鍵作用，它精準(zhǔn)控制機(jī)械強(qiáng)度。

有效防止機(jī)械能不足難以解開團(tuán)聚或機(jī)械能過大對粒子造成二次損傷，從而確保成品粒徑分布窄、均一性好。

拋光液：拋光液的制備包括原材料、拋光助劑、溶劑以及納米研磨粒子等關(guān)鍵成分。

拋光液磨料的粒徑大小和形狀對CMP工藝的效果具有至關(guān)重要的影響。

博億砂磨機(jī)憑借其專利渦輪研磨系統(tǒng)，能夠?qū)伖庖耗チ涎心ブ良{米級(jí)別，且生產(chǎn)出的磨料形狀規(guī)則、均一性好。

這使得經(jīng)過CMP工藝生產(chǎn)出來的半導(dǎo)體晶圓表面更加平整、光滑，提升了拋光效果和產(chǎn)品質(zhì)量。

鋯鈦酸鉛：鋯鈦酸鉛的濕法研磨工藝是一個(gè)精細(xì)的過程，它首先將高純度的氧化鉛、二氧化鋯和二氧化鈦按精確比例混合。

并與適量的溶劑一同放入砂磨機(jī)中進(jìn)行長時(shí)間的研磨，以確保獲得粒度細(xì)小且分布均勻的粉末。

在此過程中，研磨時(shí)間、轉(zhuǎn)速和溶劑比例的控制至關(guān)重要。

隨后，通過過濾、洗滌和干燥步驟去除雜質(zhì)并干燥粉末。為了改善粉末的流動(dòng)性和成型性能，還需進(jìn)行造粒處理。

02

優(yōu)化制備工藝，打造穩(wěn)定半導(dǎo)體晶體

在半導(dǎo)體晶體的制備過程中，對設(shè)備參數(shù)和制備工藝的精準(zhǔn)控制是確保最終產(chǎn)品質(zhì)量與性能穩(wěn)定的關(guān)鍵所在。

作為業(yè)界領(lǐng)先的研磨與分散解決方案提供商，博億深知其中的重要性。

并積極通過技術(shù)創(chuàng)新和服務(wù)優(yōu)化，幫助企業(yè)實(shí)現(xiàn)更穩(wěn)定、高效的半導(dǎo)體晶體生產(chǎn)。

圖為：誠邀您蒞臨Semicon Taiwan半導(dǎo)體博億展位：Booth:13126，展覽時(shí)間2024年9月4-6日

除了設(shè)備參數(shù)的控制，制備工藝的優(yōu)化也是提升半導(dǎo)體晶體質(zhì)量的關(guān)鍵。

博億通過深入研究和實(shí)踐，積累豐富的制備工藝優(yōu)化經(jīng)驗(yàn)。

我們不僅提供先進(jìn)的研磨與分散設(shè)備用于研發(fā)半導(dǎo)體晶圓，還根據(jù)企業(yè)的具體需求，量身定制個(gè)性化的制備方案和工藝，幫助企業(yè)有效提升產(chǎn)品的整體質(zhì)量。