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設備應用

本機適用于直徑 100mm及以下尺寸的硅片、鍺片、砷化鎵、鈮酸鋰等片狀材料的單面高精度拋光加工。

設備特點

主拋光盤采用變頻器配合三相異步電機拖動，調速平緩、低速穩(wěn)定性好，可實現(xiàn)緩啟動與緩停止

采用 PLC 可編程控制器控制，人機界面顯示并可進行設置相關運行及工藝參數，控制先進可靠

本機四個拋光頭分別采用低摩擦系列氣缸，并采用精密減壓閥調控，壓力控制精確穩(wěn)定
上拋光頭采用四段壓力控制方式，*小加壓可控制在 15KG 以內，滿足了精拋工藝的要求，壓力采用四段加壓方式，即輕-中-重-輕壓力過程

主機上部采用推拉式防護罩防護，上箱體留有抽風口，保證了內外部環(huán)境的清潔

設備參數

◆拋光盤直徑：φ815mm
◆粘片盤直徑規(guī)格：（外徑×厚度）305mm×20mm
下盤轉速：0-80rpm
上拋光頭氣缸行程：φ80mm×180 mm（4 頭）
主電機：YA132M-4-B3 7.5Kw 380V 1460rpm
電源要求：三相五線制交流電源：3φ380V±38V 50Hz±5Hz 電纜規(guī)格要求：線徑大于 2.5mm2
氣源要求：氣源壓力：0.5MPa 空氣消耗量：45NL/次 接口規(guī)格：外徑φ10 的快插接頭
冷卻水：冷卻水水壓力：0.2Mpa 冷卻水水消耗量：15L/min 接口規(guī)格：外徑φ12 的快插接頭
拋光用水：去離子水壓力：0.2Mpa 去離子消耗量：10L/min 接口規(guī)格：外徑φ12 的不銹鋼快插接頭
拋光晶片厚度：0.20-3mm
承片量：單盤 5 片 (4〃) 8 片(3〃)
             4 盤 20 片 (4〃) 32 片(3〃)
外形尺寸：1080 mm ×1810 mm ×2350mm
重量：約 1800Kg