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硅基底CVD石墨烯膜

Si-G

直接聯(lián)系

常州碳時代科技有限公司

江蘇常州

產(chǎn)品規(guī)格型號

參考報價：

1萬元以下

型號：

Si-G

關(guān)注度：

2455

創(chuàng)新點：

CVD工藝制備的石墨烯薄膜，單層率高，尺寸大

應(yīng)用行業(yè)：

半導體行業(yè)，氮化鎵的生長

典型用戶：

微系統(tǒng)所，中興

產(chǎn)品介紹

硅基底CVD石墨烯膜

聯(lián)系電話：13685******，劉先生

硅片厚度：700微米

硅片表面氧化硅厚度：300nm

石墨烯層數(shù)：1層，2層，多層（可選）

石墨烯方阻：300-500（單層石墨烯）

石墨烯單層覆蓋率：＞95%

樣品照片：

光學顯微鏡照片：

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Raman光譜

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參數(shù)價格：

量大可打折

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存儲條件：

建議產(chǎn)品在常溫下保存在干燥，低氧（無氧）的容器中，建議一個月內(nèi)使用完.

獲取更多信息，請訪常州碳時代科技有限公司網(wǎng)站

產(chǎn)品咨詢

硅基底CVD石墨烯膜

Si-G

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