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IGBT簡介：

IGBT(絕緣柵雙極性晶體管)是常見的功率器件，期間經(jīng)常使用在強電流高電壓的場景中，如電動汽車、變電站等。器件結(jié)構(gòu)由MOSFET及BGT組合而成，兼具了高輸入阻抗及低導(dǎo)通壓降的優(yōu)點，IGBT是電力電子設(shè)備的“cpu”，被國家列為重點研究對象。

IGBT測試難點：

1、由于IGBT是多端口器件，所以需要多個測量模塊協(xié)同測試。

2、IGBT的漏電流越小越好，所以需要高精度的設(shè)備進(jìn)行測試。

3、IGBT動態(tài)電流范圍大，測試時需要量程范圍廣，且量程可以自動切換的模塊進(jìn)行測試。

4、由于IGBT工作在強電流下，自加熱效應(yīng)明顯，脈沖測試可以減少自加熱效應(yīng)，所以MOSFET需要進(jìn)行脈沖IV測試，用于評估期間的自加熱特性。

5、MOSFET的電容曲線是其特性表征的重要內(nèi)容，且與其在高頻應(yīng)用有密切關(guān)系。所以IGBT的電容測試非常重要。

6、IGBT開關(guān)特性非常重要，需要進(jìn)行雙脈沖動態(tài)參數(shù)的測試。

IGBT靜態(tài)測試設(shè)備認(rèn)準(zhǔn)武漢生產(chǎn)廠家普賽斯儀表，詳詢一八一四零六六三四七六；普賽斯以自主研發(fā)為導(dǎo)向，深耕半導(dǎo)體測試領(lǐng)域，在I-V測試上積累了豐富的經(jīng)驗，先后推出了直流源表，脈沖源表、高電流脈沖源表、高電壓源測單元等測試設(shè)備，廣泛應(yīng)用于廣泛應(yīng)用于半導(dǎo)體測試行業(yè)； 本功率器件靜態(tài)參數(shù)測試系統(tǒng)可以完成多項參數(shù)測試，如ICES、IGESF、IGESR、BVCES、VGETH、VCESAT、VF等。

IGBT靜態(tài)測試設(shè)備應(yīng)用

     功率器件如二極管、三極管、MOS管、IGBT、SIC、GaN；