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Pharos-STEM
面議
飛納
Pharos-STEM
3636
Pharos STEM 電子顯微鏡,利用 FEG 高亮度電子源,可在透射模式下對薄樣品進行成像。專用的樣品夾可輕松裝載常規 3mm 直徑透射電鏡 (TEM) 載網,實現樣品的快速、安全切換。STEM 樣品杯可提供明場 (BF) 、暗場 (DF) 和高角度環形暗場 (HAADF) 像,并支持自定義選擇成像模式。
Phenom Pharos 臺式場發射掃描電鏡因其多功能性和**的成像性能贏得了良好的口碑 —— 即使是在傳統較難觀測的樣品中也表現優異。直觀的用戶界面有助于將高分辨率圖像呈現給用戶, FEG 場發射電子源在 1-20kV 的加速電壓范圍內都提供了高分辨率。
Phenom Pharos STEM 臺式場發射 SEM-STEM 電子顯微鏡,配備了 STEM 樣品杯,從另一個維度提高了其成像能力和應用的多樣性。
作為全球**臺式場發射 SEM-STEM 電子顯微鏡,在較低的加速電壓下,減少了電子束對樣品的損傷,顯著提高了圖像的襯度。在臺式掃描電鏡下即可快速獲得高分辨的 BF 像、DF 像、HAADF 像,且支持用戶自定義成像。Pharos STEM 樣品杯為材料領域的研究提供了高效、全面的表征方式。
BF 像:主要是樣品正下方同軸的探測器接收透射電子和部分散射電子。影響明場像襯度(Contrast)的主要因素是樣品的厚度和成分。樣品越厚,原子序數(Z)越大,穿透樣品的電子越少,圖像就越暗,因此 BF 像對輕元素(Z 較小)比較敏感。
DF 像:主要是樣品下方非同軸位置的探測器接收散射電子信號。
HAADF 像:主要是接收高角度的非相干散射電子信號。原子序數(Z)越大,散射角也越大,原子核對入射電子的散射作用越強,圖像上更亮。因此又被稱為 Z 襯度像。
三種成像模式各有特點,具有不同的成像優勢,可以根據樣品情況搭配使用,成像結果進行互相驗證。
煙草花葉病毒的BSE 像、BF 像、 DF 像和 HAADF 像
對比掃描電鏡的背散射電子圖像(BSE),桿狀的煙草花葉病毒在 BF 模式下更加直觀。BF 模式更適合觀察輕元素(Z 較小),輕元素散射作用較弱,因此在 HAADF 模式下較難清晰觀測細節。
而桿狀煙草花葉病毒周圍較厚的脂質球,電子較難穿透,BF 像上相對較暗。在 DF 模式下,密度較大的脂質球表現出較強的衍射,因此在 DF 像上相對較亮。
規格參數:
系統兼容:Phenom Pharos G2 臺式場發射掃描電鏡
樣品兼容:? 3 mm TEM 載網(夾具固定)
成像時間:< 40 s*
成像模式:BF、DF、HAADF、 自定義**
成像工作流程:固定的 WD,設置**的探測器 ,完全集成的 UI
真空度:0.1, 10 & 60 Pa
分辨率:優于 1 nm
* 加載樣品到呈現圖像的時間
** STEM 具有 11 分割探測器,用戶可以對其進行自定義選擇
Pharos-STEM
Phenom Pharos
Neoscan N90
Phenom XL
Phenom Pro
ParticleMetric
ParticleX
VSP-G1
N80
N70
N60
TEM 熱、電、氣、液、冷凍樣品桿
場發射掃描電鏡 SEM5000
Veritas
Quattro-
Pharos-STEM
INNO-SCAN 3D掃描儀
KYKY-EM8100
EM-30+
Transcend II
Hitachi FlexSEM 1000
略
美國Fauske 快速掃描絕熱量熱儀-ARSST
MIRA 3 GMU/GMH