粉體行業在線展覽
M-3
面議
晶格電子
M-3
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一、結構特征
M3手持式四探針測試儀主機 配ST2253-F01鎢針探頭測試硅片 配ST2558B-F01薄膜探頭測試ITO膜
二、概述
2.1基本功能和依據標準:
M3手持式四探針測試儀是運用四探針測量原理測試材料電阻率/方塊電阻的多用途、高性價比測量儀器。
該儀器設計符合GB/T 1551-2009 《硅單晶電阻率測定方法》、GB/T 1552-1995《硅、鍺單晶電阻率測定直流四探針法》等國標并參考美國 A.S.T.M 標準。
2.2配套組成:標準配置由M-3型主機、選配的四探針探頭等二部分組成,也可加配測試臺當臺式機使用。
2.3優勢特征:
1美觀適用:彩色流線型手持式面板、帶防滑墊,符合人體工程學設計。適合手持式變動場合操作使用,也可以定制小型旅行手提箱包裝,便于野外或旅行使用。
2高精度:帶完善厚度、形狀修正功能,測試準確。同行中手持式多為簡易程序,沒有完整修正功能,無法修正誤差。
3寬量程:超寬五個檔位,相當于中檔臺式機的量程,同行中手持式多為兩到三個檔位,測試范圍有限,適應性不廣。
4操作簡便、性能穩定:輕觸數字化鍵盤實現參數設定、功能轉換,簡便而且免除模擬定位器的不穩定易受干擾。
5手動/自動一體化:
6顯示方式美觀清晰:由高亮綠色數碼和LED數字表頭顯示,不怕環境背景暗或野外強光;
7待機和工作時間長(不小于兩天),有大容量可充電鋰電池電池供電,環保耐用。
2.4探頭選配:根據不同材料特性需要,探頭可有多款選配。詳情見《四探針探頭型號規格特征選型參照表》
1配高耐磨的碳化鎢探針探頭,如ST2253-F01型,以測試硅等半導體、金屬、導電塑料類等硬質材料的電阻率/方阻;
2配不傷膜的球形或平頭鍍金銅合金探針探頭,如ST2558B-F01型,可測金屬箔、碳紙等導電薄膜,也可測陶瓷、玻璃或PE膜等基底上導電涂層膜,如金屬鍍膜、噴涂膜、ITO膜、電容卷積膜等材料的薄膜涂層電阻率/方阻。
3配專用箔上涂層探頭,如ST2558B-F02型,也可測試鋰電池電池極片等箔上涂層電阻率/方阻。
4換上四端子測試夾具,還可對電阻器的體電阻進行測量。
2.5測試臺選配:根據不同材料特性需要,測試臺可有多款選配。詳情見《四探針測試臺型號規格特征選型參照表》
四探針法測試固體或薄膜材料選配SZT-A型或SZT-B型(電動)或SZT-C型(快速恒壓)測試臺。
二探針法測試細長棒類材料選配SZT-K型測試臺.
平行四刀法測試橡塑材料選配SZT-G型測試臺。
2.6適用范圍:手持式使用,儀器適用于半導體材料廠器件廠、科研單位、高等院校四探針法對導體、半導體、類半導體材料的導電性能的測試。
。
三、基本技術參數
1.測量范圍、分辨率
電 阻: 0.010Ω~ 50.00kΩ, 分辨率0.001Ω~ 10 Ω
電 阻 率: 0.010Ω-cm~ 20.00kΩ-cm, 分辨率0.001Ω~ 10 Ω-cm
方塊電阻: 0.050Ω/□ ~ 100.00kΩ/□ 分辨率0.001Ω~ 10 Ω/□
2.可測材料尺寸
手持方式不限材料尺寸,但加配測試臺則由選配測試臺決定如下:
直 徑:SZT-A圓測試臺直接測試方式 Φ15~130mm。
SZT-C方測試臺直接測試方式180mm×180mm。
長(高)度:測試臺直接測試方式 H≤100mm。.
測量方位: 軸向、徑向均可.
3.量程劃分及誤差等級(括號內為拓展量程)
量程(Ω-cm/□) | 2.000 (200.0m) | 20.00 (2.000m) | 200.0 (20.00) | 2.000k (200.0) | 20.00k (2.000k) |
電阻測試范圍 | 0.010~2.200 | 2.000~22.00 | 20.00~220.0 | 0.200~2.200k | 2.000~50.00k |
電阻率/方阻 | 0.010/0.050~2.200 | 2.000~22.00 | 20.00~220.0 | 0.200~2.200k | 2.000~20.00k/100.0k |
基本誤差 | ±1%FSB±2LSB | ±2%FSB±2LSB |
4)充電器工作電源:220V±10%, f=50Hz±4%,PW≤5W,或電池供電DC3.7V.
5)外形尺寸:W×H×L=10cm×3.6cm×21cm
凈 重:≤0.3kg
注:該儀器未取得中華人民共和國醫療器械注冊證,不可用于臨床診斷或治療等相關用途
聯系人:王經理
聯系電話:13656 225155
微信:13656 225155
ST2258C
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SZT-C型
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ST2742B型
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ST2722-SD
ST2722-SZ
ST2742B
略