粉體行業(yè)在線展覽
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TC-P21
直接聯(lián)系
杭州清瓷新材料科技有限公司
浙江
面議
清瓷新材料
TC-P21
2550
1. 產(chǎn)品特征
? 淡黃色膏狀
? 90-120℃可熔融，180-350℃熱固化（不再軟化）, 紫外光（200-350nm）可固化，激光可陶瓷化
? 易溶于正己烷、甲苯、二氯甲烷、四氫呋喃、乙酸乙酯等非質子有機溶劑。
? 可添加填料，與許多基體粘合良好
? 陶瓷化溫度T≥800℃，高陶瓷產(chǎn)率 ＞70%，高溫穩(wěn)定性優(yōu)異
TC-P21是專為電子領域產(chǎn)品耐高溫涂層設計的一種固體聚硅氮烷樹脂，其低分子量組分含量很低，經(jīng)熱解可獲得很高的陶瓷產(chǎn)率。TC-P21可溶解在非質子溶劑中配制成涂料，建議質量濃度不高于10%，在金屬、硅、塑料、陶瓷等基材上涂覆成膜，涂覆方式可以是浸凃、噴涂、旋涂。涂層厚度既可以通過濃度控制，也可以通過操作控制。涂料中可以加入活性或者惰性填料，涂層的性能可以由填料調(diào)控。TC-P21的溶液可以作為粘合劑層使用。
2. 產(chǎn)品應用
TC-P21是一種可用的前驅體聚合物，可用干燥的非質子溶劑（烷烴、芳香族碳氫化合物、酯）溶解或用添加劑或填料（顏料、金屬或陶瓷粉末等）改性。根據(jù)性能需要可以配制不同濃度不同填料含量的涂料。
TC-P21可在180℃-450℃熱固化，在200-350nm紫外光照射下可以光固化。每種情況的固化條件（光強，溫度、時間、氣氛）都必須適合于基體的幾何形狀和組成。加入的添加劑或填料會影響固化條件。
TC-P21在800℃以上熱裂解可以轉化成無定形Si/C/N材料，這種材料在更高的溫度（>1400℃）會結晶成SiC/Si3N4/C納米復合材料。熱解后得到的材料在峰溫1450℃保持穩(wěn)定，其與性能相關的性質如相組成、密度和機械性質極大的取決于操作和熱解條件。
3. 技術數(shù)據(jù)
外觀：淡黃色膏狀 聚合物含量：100%
熔融溫度：90-120℃ 固化：180~350℃，紫外光（200-350nm）
陶瓷化：激光（1064nm）
溶解性：溶于正己烷、甲苯、乙酸乙酯、四氫呋喃、二氯甲烷等有機溶劑
保質期：低溫密封干燥保存24個月。
4. 使用說明
只有經(jīng)專業(yè)訓練的人員才可使用本產(chǎn)品
TC-P21對水分輕微敏感，可以在空氣中操作。
5. 加工
TC-P21可用于制備各種電子器件涂層，既可以做光刻膠，也可以做封裝材料。
TC-P21可配制成1-10wt%的溶液，其涂層（<1μm厚度）如果在不耐高溫的聚合物基材上，可以在空氣中用無極紫外燈/真空紫外光源照射1-2分鐘可固化成膜。
TC-P21制備的薄膜在空氣、氮氣、氬氣、氫氣、氨氣或真空中1000℃熱解可轉化為無定形的Si/C/N材料。1000℃TC-P21失重量約為29%（惰性氣體中），同時其密度和硬度會加倍，在更高的溫度下（>1400℃）材料會結晶成Si3N4/SiC/C納米復合材料。固化或熱解過程中TC-P21材料性質的變化取決于所用氣氛。SiCN的氧化的拋物線速率常數(shù)kp=1.1×10-18到3.8×10-18m2/s，與CVD和PVD的SiC相當。
6. 應用
TC-P21是一種負型光刻膠，可以制備幾個納米厚度薄層介電層，是一種玻璃化溫度高達1500℃的樹脂材料，是在耐溫性和高寬比方面比SiC更先進的一代半導體材料，可用于制備耐高溫1500℃的電子傳感器。
7. 安全說明
? 操作過程中需佩戴耐溶劑手套（如丁基膠手套或丁腈膠手套）
? 使用合適的護眼設備（安全護目鏡或防護面具）
? TC-P21需遠離兒童，于陰涼（＜25℃）干燥處儲存
8. 產(chǎn)品存放與廢物處理
TC-P21存放在陰涼（＜25℃）干燥處。
可以用有機溶劑（如正己烷、THF）除掉周邊未固化殘留的TC-P21，固化或熱解后形成的材料不溶于有機溶劑，TC-P21污染的加工設備使用后應立即清洗。
含TC-P21的廢棄物不能和含質子物質（如：水）混合，必須在適宜的處理地點處理廢棄物。
9. 技術服務
我們的技術部門可解答性能、使用和化學規(guī)格方面的技術問題。
所有的技術信息都是基于實際經(jīng)驗的，實際條件改變時不能原封照搬，用戶需自行進行試驗，由于產(chǎn)品的使用已超出我們的管理范疇，所以我們只盡責保證產(chǎn)品始終如一的品質。
