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陜西宇騰電子科技有限公司
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跟傳統(tǒng)半導(dǎo)體材料Si相比，第三代半導(dǎo)體在擊穿場強(qiáng)、禁帶寬度、電子飽和速度、熔點以及熱導(dǎo)率方面都具有**優(yōu)勢。
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