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4H-導電型碳化硅單晶襯底
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山東天岳先進科技股份有限公司
山東
面議
山東天岳
553
天岳先進不斷追求更高的晶體質量和加工質量更好的滿足客戶的需求目前可批量供應6英寸產品8英寸產品正在研發中
導電型
晶型4H
直徑（mm）150
偏角（°）4
厚度（μm）350
表面狀態Epi-ready
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4H-半絕緣型襯底
微米級高純β-SiC粉體
WO
碳化硅
GC0.5
MG-C010
409-21-2
240#
JIS#12-#12000
W63-W1
B-SiC-50N
綠碳化硅
α阿爾法相碳化硅
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