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碳化硅基氮化鎵外延片

直接聯(lián)系

中電化合物半導(dǎo)體有限公司

浙江

產(chǎn)品規(guī)格型號(hào)

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品牌：

中電化合物

型號(hào)：

碳化硅基氮化鎵外延片

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產(chǎn)品介紹

Layer name	Discription	Thickness	Comment
Substrate	100 or150 mm	500±25 μm	Beveling or Flat Orientation
Buffer	Doping iron	2±0.5 μm	Can be customized
GaN channel	GaN	200nm	Can be customized
AlN insert	AlN	0.5-1.5nm	Can be customized
Barrier	AlGaN(25%Al)	20nm	Can be customized
Cap	GaN	2nm	SiN cap available upon request

Parameter	Measurement	Units	Target
Electron Mobility	Hall	cm2/V.s	>1600
Sheet charge Density	Hall	/cm2	>8E12
Sheet Resistivity	Eddy current	Ohms/sq	<450
Sheet Resistivity uniformity	Eddy current	55 point	<3%
surface Topography	AFM	nm@5*5μm2	<0.5
TTV		um	<5
Bow		um	< 5 0
Breakdown voltage	Gate test	V	>120

產(chǎn)品咨詢

碳化硅基氮化鎵外延片

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請(qǐng)?zhí)顚懩碾娫挘?

請(qǐng)?zhí)顚懩泥]箱：*

請(qǐng)?zhí)顚懩膯挝?公司名稱：*

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