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PECVD鍍膜設備

      PEVCD(等離子增強化學氣相沉積)*重要的應用之一是沉積微電子器件用絕緣薄膜，在低溫下沉積氮化硅、氧化硅或硅的氮氧化物一類的絕緣薄膜，這對于超大規模集成芯片的生產是至關重要的。PECVD的一個重要優點是能在比熱CVD更低的溫度下沉積。PECVD技術在250～400度的溫度范圍內使氮化硅薄膜的沉積成為可能。PECVD沉積SiO2絕緣層被廣泛地應用于半導體器件工藝，*近在光學纖維的涂層和某些裝飾性涂層方面獲得了應用。近年來，PECVD在摩擦磨損、腐蝕防護和切削工具涂層應用方面獲得了很大進展。

	PECVD設備可制備的薄膜 SiNx SiO2 α-Si Poly-Si GaAs膜 Si:H膜 SiC膜 DLC多晶硅 廣泛應用于微電子和光電子領域科研和生產。
	PECVD沉積設備參數 特殊的平板式φ200*H150反應室 系統極限真空1*10-5Pa 帶加熱和氣浴噴淋系統 電源：13.56M Hz*300W / 40K Hz*600W / 雙電源 數字定時器，精度1秒 數字溫度控制系統 工藝程序自動化 觸摸屏控制、動畫實時顯示工藝過程的狀況和提示 質量流量計4個；氣路4路 ( 可增選 )。 樣品加熱：30～600℃，控溫精度：≤ ±1℃ 強制循環水冷