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一．產品概述
              VGF是目前國際上生長GaAs和InP等化合物半導體單晶的主流技術。
              VGF坩堝為垂直梯度凝固法（VGF）生長化合物單晶的容器。
       二．產品特點
               純度高達99.999%
               與熔融金屬不潤濕
               熱導率可控，有效提高成晶率
               優異的抗熱震性
               易清洗，可重復使用
               化學惰性，在高溫下與酸、堿不發生化學反應