粉體行業(yè)在線展覽
LHC-20
面議
力信達(dá)
LHC-20
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一、設(shè)備簡(jiǎn)介
碳基前驅(qū)體添加到流化床沉積爐內(nèi),通入高溫氣體,硅烷高溫裂解,沉積在多孔碳的表面,得到包覆改性物料,相比傳統(tǒng)CVD爐氣固相接觸充分,包覆硅時(shí)包覆層比傳統(tǒng)工藝更均勻,反應(yīng)區(qū)的溫度控制均勻,溫度精度一致性更好。
二、技術(shù)參數(shù)
1. 載氣:N2、H2、Ar
2. 反應(yīng)氣體:CH4、C2H2、C3H6、SiH4等
3. 每批處理量: 10kg≤Q≤150kg
4. 操作溫度: ≤800℃
5. 操作壓力: ≤10Kpa
6. 卸料溫度: ≤200℃
7. 氧指數(shù): ≤50ppm
LHC-20
JXHZ-4080
LXHZ-1500連續(xù)式回轉(zhuǎn)爐
氧化回轉(zhuǎn)煅燒爐
氫氣回轉(zhuǎn)還原爐
疊加式回轉(zhuǎn)爐
微粉機(jī)
氣流粉碎機(jī)
QFM-300氣流粉碎機(jī)
氣流磨
QFM-800氣流粉碎機(jī)
高溫還原爐
略
略
回轉(zhuǎn)電阻爐
HGYL-3500
土壤修復(fù)煅燒窯
LXHZ-1500連續(xù)式回轉(zhuǎn)爐
外熱式回轉(zhuǎn)窯
NRY系列內(nèi)熱式回轉(zhuǎn)窯
高潔凈回轉(zhuǎn)爐
三溫區(qū)真空氣氛回轉(zhuǎn)爐CVD系統(tǒng)CVD1200C 900D60III R 3ZLV
BTF-1200C-III-150-CVD
D2.2mx18m