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Genius IF

多元素EDXRF光譜分析儀

采用二次靶技術

能量色散X射線熒光光譜儀Genius IF

Genius IF提供了一種經(jīng)濟高效的元素分析解決方案。該能量色散X射線熒光（EDXRF）光譜儀可以對C（6）- Fm（100）范圍內(nèi)的多種元素進行亞ppm級別無損定性及定量元素分析。

高度集成的光譜儀采用復雜獨特的設計結合了自定義濾光片和二次靶技術，可放在傳統(tǒng)實驗室工作臺上，適用于多種高端應用領域。

無損元素分析

通過使用標樣或無標樣方法（基本參數(shù)）進行定性及定量分析。

硅漂移探測器（SDD）

高計數(shù)率及分辨率的SDD探測器，分辨率可達125eV，探測范圍C（6）- Fm（100）。

X射線源

激發(fā)性能可達50kV，50W，Rh靶材料，分析濃度探測限范圍可達亞ppm至100%，其**的性能可適用于復雜應用。

輕元素探測

超薄探窗能夠實現(xiàn)對低序元素探測分析的優(yōu)異性能。

二次靶技術及濾光片

采用**幾何結構，設計8個二次靶及8個自定義濾光片，可快速準確的測定痕量和微量元素。

Analytix專用軟件

Analytix專用軟件優(yōu)異性能以及易用的GUI能夠對項目分析和管理提供*快速直接的反應并得到結果。

定量分析算法

通過元素間修正進行多元回歸分析（6個可用模型）。總計數(shù)、凈計數(shù)擬合及數(shù)字濾波強度等工具。

二次靶技術

全能型元素分析儀

Genius IF采用**幾何結構，設計8個二次靶并配備直接激發(fā)模式下8個自定義濾光片，使得儀器以**的激發(fā)方式檢測所有元素。WAG（廣角幾何）**技術下的二次靶技術為痕量元素和微量元素的測量提供了**的解決方案。

由X射線管激發(fā)產(chǎn)生的射線激發(fā)二次靶材料（純金屬）的特征K線，進而用于激發(fā)待測樣品。通過使用二次靶技術，可進一步降低某些元素的檢測限。更低的檢測限意味著Genius IF能夠異于傳統(tǒng)EDXRF儀器而適用于更加廣泛的用途，成為一款全能型多元素分析儀器。

二次靶技術與直接激發(fā)模式譜圖對比：

圖中顯示了峰背比提升的效果，其中藍色輪廓部分代表使用了二次靶技術，而紅色區(qū)域部分為直接激發(fā)模式的圖譜。