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近年來，集成電路及高功率LED器件行業飛速發展。隨著功率器件工作電壓及電流的增加，芯片尺寸的不斷減小，芯片的功率密度急劇增加，散熱問題已成為封裝器件快速發展的瓶頸。氮化鋁（AlN）具有優良的高熱導性，且絕緣性能佳，是新一代基片的理想材料，更是解決大功率的LED器件、LD、晶體管、集成電路和IGBT等封裝器件散熱瓶頸的優選材料。

我公司深入研究高散熱AlN陶瓷基板材料制備、表面金屬化、模組封裝等技術，采用自主創新技術制備AlN膜片，專門適用于大功率LED器件集成封裝的應用基板材料，且在材料散熱性能、抗彎強度和封裝后LED 器件的性能方面優勢明顯。該產品經檢測及客戶反饋，可以滿足應用需求。 

氮化鋁陶瓷基板產品性能參數

                            氮化鋁陶瓷基片常規尺寸                           

氮化鋁陶瓷圓片常規尺寸

                                                                                    注：其余尺寸可定制加工。