粉體行業(yè)在線展覽
粉體行業(yè)在線展覽
氮化鎵
直接聯(lián)系
埃特曼（北京）半導(dǎo)體技術(shù)有限公司
北京
面議
埃特曼半導(dǎo)體
氮化鎵
608
氮化鎵（GaN）是第三代半導(dǎo)體材料中的代表，因其高耐壓、高飽和速率等優(yōu)點(diǎn)，在微波射頻和功率電子領(lǐng)域逐漸替代傳統(tǒng)的硅基器件，發(fā)揮重要作用。埃特曼采用國(guó)際**的 Hybrid-MBE 技術(shù)，為國(guó)內(nèi)外客戶提供高質(zhì)量、低成本的 GaN 外延片。
射頻類：
GaN-on-SiC HEMT
GaN-on-Si HEMT
S/D n+ GaN 二次外延
功率類：
GaN-on-Si HEMT
產(chǎn)品咨詢
氮化鎵
埃特曼（北京）半導(dǎo)體技術(shù)有限公司請(qǐng)?zhí)顚懩男彰?
請(qǐng)?zhí)顚懩碾娫挘?
請(qǐng)?zhí)顚懩泥]箱：*
請(qǐng)?zhí)顚懩膯挝?公司名稱：*
請(qǐng)?zhí)岢瞿膯?wèn)題：*
您需要的服務(wù)：
中國(guó)粉體網(wǎng)保護(hù)您的隱私權(quán)：請(qǐng)參閱 我們的保密政策 來(lái)了解您數(shù)據(jù)的處理以及您這方面享有的權(quán)利。 您繼續(xù)訪問(wèn)我們的網(wǎng)站，表明您接受 我們的使用條款
