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碳化硅pvt培育的長晶
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浙江東尼電子股份有限公司
浙江
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東尼電子
586
PVT法長晶
籽晶粘結成功率可以接近100%,平均生長速度0.13-0.16mm/h,晶體利用率更高,更加適合6~8寸晶體的生長,單位晶體成本更低。同時具有高可靠性,熱場和工藝調節(jié)更便捷,更加適合規(guī)模化生產(chǎn),這些優(yōu)勢在生長大尺寸晶體時尤其明顯。
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