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 希科半導(dǎo)體科技（蘇州）有限公司專注于第三代半導(dǎo)體核心關(guān)鍵材料—6英寸碳化硅外延晶片（SiC Epitaxy Wafer）的研發(fā)與產(chǎn)業(yè)化。產(chǎn)品主要用于制造SiC SBD、SiC MOSFET、SiC JFET和SiC BJT等碳化硅電力電子器件。 希科半導(dǎo)體科技（蘇州）有限公司專注于第三代半導(dǎo)體核心關(guān)鍵材料—6英寸碳化硅外延晶片（SiC Epitaxy Wafer）的研發(fā)與產(chǎn)業(yè)化。產(chǎn)品主要用于制造SiC SBD、SiC MOSFET、SiC JFET和SiC BJT等碳化硅電力電子器件。 希科半導(dǎo)體科技（蘇州）有限公司專注于第三代半導(dǎo)體核心關(guān)鍵材料—6英寸碳化硅外延晶片（SiC Epitaxy Wafer）的研發(fā)與產(chǎn)業(yè)化。產(chǎn)品主要用于制造SiC SBD、SiC MOSFET、SiC JFET和SiC BJT等碳化硅電力電子器件。 希科半導(dǎo)體科技（蘇州）有限公司專注于第三代半導(dǎo)體核心關(guān)鍵材料—6英寸碳化硅外延晶片（SiC Epitaxy Wafer）的研發(fā)與產(chǎn)業(yè)化。產(chǎn)品主要用于制造SiC SBD、SiC MOSFET、SiC JFET和SiC BJT等碳化硅電力電子器件。