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硅早已是大多數(shù)電子應(yīng)用中的關(guān)鍵半導體材料，但與碳化硅（SiC）晶片相比，則顯得效率低下。碳化硅晶片現(xiàn)在已開始被多種應(yīng)用采納，特別是電動汽車，以應(yīng)對開發(fā)高效率和高功率器件所面臨的能源和成本挑戰(zhàn). 碳化硅晶片由純硅和碳組成，與硅相比具有三大優(yōu)勢：更高的臨界雪崩擊穿場強、更大的導熱系數(shù)和更寬的禁帶。碳化硅晶片具有3電子伏特（eV）的寬禁帶，可以承受比硅大8倍的電壓梯度而不會發(fā)生雪崩擊穿。禁帶越寬，在高溫下的漏電流就越小，效率也越高。而導熱系數(shù)越大，電流密度就越高。SiC襯底具有更高的電場強度，因而可以使用更薄的基礎(chǔ)結(jié)構(gòu)，其厚度可能僅為硅外延層的十分之一。此外，SiC的摻雜濃度比硅高2倍，因此器件的表面電阻降低了，傳導損耗也顯著減少。廈門中芯晶研可提供2”,3”,4”,6”碳化硅單晶片。