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雙腔體等離子體原子層沉積系統 QBT-T

• 設備詳情：

  
  

       QBT-A 可在任意曲面，如平面、復雜三維結構、多孔基板上沉積高純度薄膜，且具有優異的臺階覆蓋性，適用于微/納光電子器件、高品質光學和光電子薄膜的制備；此外，通過等離子體的引入，增強了前驅體物質的反應活性，適用于對溫度敏感材料和氮化物材料上的薄膜沉積。

      原子層沉積（Atomic layer deposition)是通過將氣相前驅體脈沖交替地通入反應腔體內并在沉積基體上化學吸附并反應而形成沉積膜的一種技術，具有自限性和自飽和。原子層沉積技術主要應用是在各種尺寸和形狀的基底上沉積高精度、無針孔、高保形的納米薄膜。 

       等離子體增強原子層沉積 (PlasmaEnhancedAtomicLayerDeposition，PEALD)是對ALD技術的擴展，通過等離子體的引入，產生大量活性自由基，增強了前驅體物質的反應活性，從而拓展了ALD對前驅源的選擇范圍和應用要求，縮短了反應周期的時間，同時也降低了對樣品沉積溫度的要求，可以實現低溫甚至常溫沉積，特別適合于對溫度敏感材料和柔性材料上的薄膜沉積。