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PECVD管式爐，等離子體增強化學汽相沉積管式爐

PECVD 系統的設計是為了降低傳統化學氣相沉積的反應溫度。在傳統化學氣相沉積前面安裝射頻感應裝置，電離反應氣體，產生等離子體。等離子體的高活性是由于等離子體的高活性加速了反應的進行。這個系統叫做 PECVD。

該型號是博納熱**產品，綜合了大多數 PECVD 爐系統的優點，在 PECVD 爐系統前增加了預熱區。試驗表明，沉積速度快，膜層質量好，孔洞少，不開裂。配備AISO 全自動智能控制系統，操作方便，功能強大。

PECVD 爐的應用范圍很廣: 金屬膜、陶瓷膜、復合膜、各種膜的連續生長。易增加功能，可擴展等離子清洗蝕刻等功能。

PECVD管式爐特點

• 高薄膜沉積速率: 采用射頻輝光技術，大大提高了薄膜的沉積速率，沉積速率可達1000s.

• 高面積均勻性: 先進的多點射頻送料技術、特殊氣路分布、加熱技術等，使薄膜均勻性指數達到8%.

• 高濃度: 使用先進的設計概念的半導體產業，一個沉積基板之間的偏差小于2%.

• 高過程穩定性: 高度穩定的設備確保了連續和穩定的過程。

PECVD管式爐標準配件

• 插管4支

• 爐管1根

• 真空泵1件

• 真空密封法蘭2套

• 真空計1件

• 氣體輸送和真空泵

• 射頻等離子體設備

可選配件

• 快卸法蘭，三通法蘭

• 7英寸高清觸摸屏

PECVD管式爐圖片 

PECVD管式爐技術規格