粉體行業(yè)在線展覽
氮化鋁晶體生長爐
面議
哈爾濱科友
氮化鋁晶體生長爐
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設(shè)備概述
氮化鋁晶體生長爐主要用于物理氣相傳輸法(PVT)生長大尺寸、高質(zhì)量AlN單晶。
設(shè)備優(yōu)勢
1、建立溫場與AlN半導(dǎo)體晶體生長動力學(xué)的精準關(guān)系,揭示晶體結(jié)晶和動力學(xué)過程,解決擴徑難、易開裂等生長難點科學(xué)問題。
2、優(yōu)化坩堝和溫場梯度結(jié)構(gòu)的設(shè)計,實施動態(tài)檢測晶體生長過程和溫場邊界條件,自主搭建國際上**大尺寸AlN單晶生長爐。
3、解析AlN晶體缺陷結(jié)構(gòu)和性能參數(shù)之間的關(guān)系,建立高質(zhì)量、低缺陷AlN半導(dǎo)體單晶的退火工藝,有力解決AlN晶體缺陷富集的難點問題。
設(shè)備參數(shù)
反應(yīng)器尺寸 | 直徑500mm x 900mm | 電源頻率,HZ | 50±1 |
**操作溫度2600° C (氬氣中) | 相數(shù) | 3 | |
工作氣體 | 氬氣,氮氣 | 壓縮氣體,Mpa | 0.6 |
**真空值 Torr | 10-5 Torr | **功率,kw | 50 |
電源功率 kw | 75kw | 晶體生長天數(shù),天 | 7 |
電源工作頻率 kHz | 15kHz | 氮氣消耗量,m3/爐 | ≤6 |
自動化參數(shù)控制系統(tǒng) | 電極接法 | △ | |
冷卻系統(tǒng) | 20kW冷卻裝置(閉合電路) | 設(shè)備外形尺寸(長x寬x高)mm | 1920x920x2790 |
電源電壓,V | 380±19 | **電流,A | 90 |
輸出電壓,V | 500-550 |
HTRH,HTRV
略
馳順TF-1200型旋轉(zhuǎn)管式爐
開啟式管式爐
RLY系列燃油熱風(fēng)爐
OTL1200、KTL1400、KTL1600、KTL1700
RLY 系列
ZHK-B02123K-200
OTF-1200X-25-60
略
YCVD-1706