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磁控濺射技術(shù)

NSC-4000（M）磁控濺射系統(tǒng)概述：

NANO-MASTER杰出的濺射系統(tǒng)可構(gòu)建成多腔體和多蒸發(fā)源的配置，在介質(zhì)上濺射金屬和介質(zhì)材料，**可支持200mm的襯底。系統(tǒng)可以配置DC直流、RF射頻和Pulse DC脈沖直流等電源來進(jìn)行序列濺射或共濺射。

系統(tǒng)使用渦輪分子泵組，工藝腔極限真空可達(dá)5 x 10-7Torr。可以通過調(diào)節(jié)靶基距，實(shí)現(xiàn)所需要的均勻度和沉積速率的調(diào)節(jié)。旋轉(zhuǎn)樣品臺(tái)可提供薄膜**的均勻性。

自動(dòng)膜厚監(jiān)控儀可提供以目標(biāo)膜厚為工藝終點(diǎn)條件的全自動(dòng)工藝控制，達(dá)到目標(biāo)膜厚時(shí)系統(tǒng)將自動(dòng)停止工藝。樣品臺(tái)**可加熱到800度，并可提供射頻偏壓。

NSC-4000（M）磁控濺射系統(tǒng)產(chǎn)品特點(diǎn)：

• 電拋光14"立方體或21"x21"x22"不銹鋼優(yōu)化蒸鍍腔體

• 680 l/sec 渦輪分子泵，串接機(jī)械泵或干泵

• 4x 15CC pocket電子槍

• 電子束源和基片遮板

• 6KW開關(guān)電源，杰出的消弧性能

• 自動(dòng)Pocket索引以及可編程的掃描控制器

• 膜厚監(jiān)測(cè)，可設(shè)置目標(biāo)膜厚作為工藝終點(diǎn)條件

• 旋轉(zhuǎn)樣品臺(tái)，提供高均勻性

• 帶觀察視窗的腔門，便于放片/取片

• PC全自動(dòng)控制，具有高度的可重復(fù)性

• Labview軟件的計(jì)算機(jī)全自動(dòng)工藝控制控

• 多級(jí)密碼保護(hù)的授權(quán)訪問設(shè)計(jì)

• EMO保護(hù)以及完全的安全聯(lián)鎖

NSC-4000（M）磁控濺射系統(tǒng)選配項(xiàng)：

• 基板支持加熱(**可達(dá)800°C)或冷卻

• 支持旋轉(zhuǎn)GLAD斜角入射沉積

• 腔體尺寸可定制

• 1.5-5KW脈沖之流電源用于ITO/ZnO等類似材料

• 傾斜磁控槍

• 射頻偏壓樣品臺(tái)

• 離子源用于基片預(yù)清洗

• 離子輔助濺射

• 增加RF電源和DC電源用于共濺射

• 增加熱蒸發(fā)源和電子束蒸發(fā)源

• 增加MFC用于反應(yīng)濺射

• 自動(dòng)上下片

• 其它包含冷泵等的各種真空泵選配

NSC-4000（M）磁控濺射系統(tǒng)應(yīng)用：

• 晶圓片、陶瓷片、玻璃白片以及磁頭等的金屬以及介質(zhì)涂覆

• 光學(xué)涂覆和ITO涂覆

• 保護(hù)涂層

• 帶高溫樣品臺(tái)和脈沖DC電源的硬涂層

• 微電子圖案

• OLED應(yīng)用中的TCO透明導(dǎo)電薄膜** 硬涂層