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主要技術指標:

外形尺寸:2818*1990

冷卻方式:制冷機直接冷卻

中子東窗厚度:≤5mm

磁場值:對稱模式可達磁場27.0T:非對稱模式25.0T

磁場均勻度;樣品中心磁場均勻度<1%($10mmx20mm高的圓柱內)，樣品中心磁場均勻度<2%($25mmx30mm高的圓柱內)

中子入射截面尺寸:42mmx42mm

散射裔垂直角度:2+5°

散射窗水平角度:≥170°

可變溫插件VTI內徑:≥50mm

變溫范圍:1.5K-300K

主要用途:用于散裂中子源譜儀原位中子散射實驗,在一定時間內對樣品進行降溫冷卻，為樣品提供zui低溫度≤1.5K，zui高溫度2300K的溫度范圍對稱模式可達中心磁場27T的實驗環境，非對稱模式可達中心磁場25T的實驗環境，目具備遠程些控功能和接口，同時能夠自動控制和調節磁場大小和變溫插件(VTI)溫度。