粉體行業在線展覽
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TriPHEMOS 實時分析微光顯微鏡
為了滿足CPU越來越快的速度和移動設備中低功耗的需求，先進的IC已經具有降低電壓、轉化為倒裝芯片、多布線層以及進一步減小尺寸等特點。由此也導致使用傳統技術難以分析芯片內部工作的時序。
TriPHEMOS工具使用二維紅外探測器，可以皮秒級精度分析器件時序。
特性
全新的探測器，其靈敏度范圍可達1600nm
全新的探測器靈敏度范圍為950nm到1600nm，而傳統探測器的范圍只能到1400nm。擴展出來的光譜靈敏度增加了背面分析和低電壓驅動IC的探測效率。
全新的TDC（Time to Digital Converter），減少了分析時間
全新設計的TDC可以以12.5ps的時間分辨率測量10ms內發生的光發射。專用分析軟件可以在全測量范圍的任何時間窗內獲取結果，因此可探究出每個事件的更多細節。
TDC可提供更高的重復頻率
專門設計的TDC**可提供10MHz的重復頻率。TDC的重復頻率范圍為100Hz到10MHz，因此使用者在測試工程中可更加靈活（循環長度）。
二維探測器同時測量
近紅外二維探測器同時測量視場內所有晶體管的光發射波形，因此可快速識別目標晶體管。
低噪聲測量
TriPHEMOS的近紅外二維探測器的ems噪聲比傳統固態探測器的要低1/1000（室內），因此可以捕獲非常微弱的光現象。
多功能平臺
TriPHEMOS 配備了適用于背面操作的多功能平臺。該平臺允許使用者增加額外的探測器，可與激光應用配合工作。通過降低樣品設置的復雜度進而流程長度，平臺將設置樣品的效率**化。
分析功能
可在測量中實時成像。
ROI(感興趣區域)窗口可對特定的晶體管進行分析。
邏輯仿真器下載輸出。
選配
CAD導航軟件
選配的CAD導航接口軟件可使用戶在CAD數據上覆蓋發光，以進一步分析。
EO探針單元C12323-01
EO探針單元是一款工具，通過使用非連續光源，透過硅基底來觀察晶體管狀態。它由EOP（Electro Optical Probing）來快速測量晶體管工作電壓，由EOFM（Electro Optical Frequency Mapping）以特定頻率對活躍晶體管成像。
應用
時序驗證
IC開發中的設計驗證
DFM參數收集
器件失效分析
LSI器件光發射的動態測量
LSI器件內部的CMOS晶體管在源極和漏極施加電壓時由于電流流動而發光，該發光現象可分為瞬變態和靜止態。
測量瞬變光發射（瞬變態）
當邏輯狀態轉換時，LSI器件內部的晶體管開關轉換，晶體管瞬間的電流反射出脈沖光。對該脈沖光的波形進行時域測量，可以皮秒級精確度對時間進行測量。
測量靜止光發射（靜止態）
無論晶體管是維持在開還是關狀態，對其施加電壓會產生電流并且發光。該現象因對LSI施加的電壓以及門電壓的不同而不同。當晶體光處于關狀態時，決定晶體光特性和缺陷數目的亞閾值電壓還影響電流流動中的漏電流量。分析靜止態的光發射可以定位缺陷點，追蹤晶體管特性浮動、LSI供電不規則性等等參量。
測量示例
參數
| 產品名稱 | TriPHEMOS |
|---|---|
| 靈敏度范圍 | 950 nm to 1600 nm |
| 有效視場 | 7.8 mm×7.8 mm |
| 結構 | 倒置型 |
| 觸發間隔（測量范圍） | 100 ns/10 MHz to 10.5 ms/100 Hz |
| *小時間分辨率 | 12.5 ps |
| 軟件 | 測量控制，分析， CAD 導航， VCD |
| 尺寸/重量*1 | 主單元：1580 mm (W)×1270 mm (D)×1500 mm (H)， Approx. 1500 kg 控制臺1：880 mm (W)×700 mm (D)×1542 mm (H)， Approx. 255 kg 控制臺2：880 mm (W)×700 mm (D)×1542 mm (H)， Approx. 255 kg 選配桌：1000 mm (W)×800 mm (D)×700 mm (H)， Approx. 45 kg |
| 線電壓 | AC220 V (50 Hz/60 Hz) |
| 功耗 | 約 4400W |
| 壓縮空氣 | 0.5 MPa to 0.7 MPa |
*1：重量因選配不同而變化。
