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砷化鎵單晶片GaAs
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廈門中芯晶研半導體有限公司
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砷化鎵(GaAs)是鎵和砷元素的化合物。它是具有閃鋅礦晶體結構的III-V直接帶隙半導體。砷化鎵用于制造微波頻率集成電路,單片微波集成電路,紅外發光二極管,激光二極管,太陽能電池和光學窗口等設備。GaAs通常用作外延生長其他III-V半導體的襯底材料,包括砷化銦鎵,砷化鋁鎵等。廈門中芯晶研可提供2”,3”,4”砷化鎵單晶片。
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