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德國(guó)
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951
電導(dǎo)率-塞貝克系數(shù)掃描探針顯微鏡
電導(dǎo)率-塞貝克系數(shù)掃描探針顯微鏡是由德國(guó)PANCO公司與德國(guó)宇航中心聯(lián)合研發(fā)的熱電材料精細(xì)測(cè)量設(shè)備，該設(shè)備主要用來(lái)測(cè)量熱電材料中電勢(shì)和塞貝克系數(shù)的二維分布情況。集成化、自動(dòng)化的設(shè)計(jì)方案使系統(tǒng)使用非常方便。**的穩(wěn)定性和可靠性彰顯了傳統(tǒng)德國(guó)制造業(yè)的優(yōu)良品質(zhì)。全新推出的第二代電導(dǎo)率-塞貝克系數(shù)掃描探針顯微鏡（PSM II）在**代的基礎(chǔ)上具有更高的位置分辨率和更高的測(cè)量精度。
產(chǎn)品特點(diǎn)：
+ **可以精確測(cè)量Seebeck系數(shù)二維分布的商業(yè)化設(shè)備。
+ 精確的力學(xué)傳感器可以確保探針與樣品良好的接觸。
+ 采用鎖相技術(shù)，精度超過(guò)大型測(cè)試設(shè)備。
+ 快速測(cè)量、方便使用，可測(cè)塊體和薄膜。
主要技術(shù)參數(shù)： + 位置定位精度：?jiǎn)蜗?0.05 μm；雙向 1 μm + **掃描區(qū)域：100 mm × 100 mm 典型值 + 局部測(cè)量精度：5 μm（與該區(qū)域的熱傳導(dǎo)有關(guān)） + 信號(hào)測(cè)量精度：100 nV（采用高精度數(shù)字電壓表） + 測(cè)量結(jié)果重復(fù)性：重復(fù)性誤差優(yōu)于3% + 塞貝克系數(shù)測(cè)量誤差：< 3% (半導(dǎo)體)；< 5% (金屬) + 電導(dǎo)率測(cè)量誤差： < 4% + 測(cè)量速度：測(cè)量一個(gè)點(diǎn)的時(shí)間4-20秒 | 應(yīng)用領(lǐng)域： 1、熱電材料，超導(dǎo)材料，燃料電池，導(dǎo)電陶瓷以及半導(dǎo)體材料的均勻度測(cè)量 2、測(cè)量功能梯度材料的梯度 3、觀察材料退化效應(yīng) 4、監(jiān)測(cè) NTC/PTC 材料的電阻漂移 5、固體電介質(zhì)材料中的傳導(dǎo)損耗 6、陰極材料的電導(dǎo)率損耗 7、GMR 材料峰值溫度的降低，電阻率的變化 8、樣品的質(zhì)量監(jiān)控 |
系統(tǒng)組成部分
+ 三矢量軸定位平臺(tái)及其控制器 + 定位操縱桿 + 加熱、測(cè)溫探針 + 力學(xué)接觸探測(cè)系統(tǒng) + 模擬多路器 | + 數(shù)字電壓表 + 鎖相放大器 + 攝像探測(cè)系統(tǒng) + 帶有專用控制軟件和數(shù)據(jù)接口的計(jì)算機(jī) + 樣品臺(tái)與樣品夾具 |
樣品夾具 | 加熱測(cè)溫探針 |
部分測(cè)試數(shù)據(jù)
1、塞貝克系數(shù)測(cè)量
Bi2Te2.85Se0.15梯度材料表面的塞貝克系數(shù)分布（數(shù)據(jù)來(lái)源，PANCO實(shí)驗(yàn)室）
2、接觸電阻測(cè)量
存在界面的樣品通過(guò)該設(shè)備還可以測(cè)量出界面處的接觸電阻。通過(guò)測(cè)量電阻率隨針尖位置的變化，可以得到樣品界面處的接觸電阻。
接觸電阻可以通過(guò)連續(xù)測(cè)量界面兩側(cè)的電勢(shì)分布計(jì)算得到，圖中ΔR正比于接觸電阻。（數(shù)據(jù)來(lái)源，PANCO實(shí)驗(yàn)室）
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Korea Research Institute of Standards and Science
Shanghai Institute of Ceramics， CAS
Germany Air Force Research Lab
Simens Company
Gwangju Institute of Science and Technology
Hamburg University
Munich University
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