粉體行業在線展覽
面議
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反射高能電子衍射儀是MBE制程的一部分。在薄膜沉積過程中,RHEED給客戶提供了重要的信息。
首先,RHEED圖像表征樣品表面的狀態。
其次,其強度震蕩可以提供生長速率的量化數據。
RHEED提供了清晰的焦點,以及衍射圖樣,并能夠在屏幕上高亮度顯示。
電子光學部件有磁性保護罩,便于提高操作性。
可選部件:RHEED圖像分析硬件和軟件系統,可以實時獲取RHEED圖樣,使用戶便于觀察和控制薄膜生長質量。完整的RHEED系統包括 10KeV RHEED電子束源,電源及配套光纜。
技術參數:
束流電壓 | 10KV |
燈絲電流 | 3A |
發射電流 | 5A |
光斑大小 | 1.0mm (17’’/1075px距離) |
**烘烤溫度 | 230 oC |
RHEED Electron Source
2.75"和4" 法蘭
RHEED Power Supply
RHEED Image Analysis Software
高分辨CCD 或相機
實時分析
2D/3D分析
RHEED Optional Components
主要特點:
實時檢測外延生長
測量薄膜生長速率
單晶薄膜的生中速率測量
光學部件帶有磁性罩