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原子層沉積（Atomic layer deposition， ALD）是通過將氣相前驅體脈沖交替的通入反應器，化學吸附在沉積襯底上并反應形成沉積膜的一種方法，是一種可以將物質以單原子膜形式逐層的鍍在襯底表面的方法。因此，它是一種真正的“納米”技術，以精確控制方式實現納米級的超薄薄膜沉積。由于ALD利用的是飽和化學吸附的特性，因此可以確保對大面積、多空、管狀、粉末或其他復雜形狀基體的高保形的均勻沉積。