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美國(guó)
面議
623
Orion HDCVD 高密度氣相化學(xué)沉積系統(tǒng)采用高密度的化學(xué)氣相沉積技術(shù)，在惰性氣體進(jìn)入口安裝感應(yīng)線圈，周圍布置陶瓷管。射頻創(chuàng)建等離子體，通過氣體環(huán)在襯底表面附近引入揮發(fā)性氣體。當(dāng)惰性氣體與揮發(fā)性物質(zhì)結(jié)合時(shí)，會(huì)發(fā)生化學(xué)反應(yīng)，然后在襯底表面沉積一層薄膜.
該技術(shù)不需要將襯底加熱到典型的PECVD溫度，并且該方法非常適合沉積在有機(jī)物、柔性襯底和其它具有溫度限制的表面上。
射頻可通過Chuck改變薄膜性能。
該系統(tǒng)可以升級(jí)傳送Loadlock，或添加到集群平臺(tái)Cluster。
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