粉體行業在線展覽
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德國WEP公司的ECV（型號為CVP21）在太陽能光伏行業的應用非常普及，市場占有率甚至達95%以上，是光伏行業電池技術研究和發展的必要工具之一，幾乎知名的光伏企業都有使用。
WEP公司的ECV設備：CVP21（見圖）
1. ECV又名擴散濃度測試儀，結深測試儀等，即電化學CV法測擴散后的載流子濃度分布（見圖）；
2. 相比其他方法如SRP，SIMS等，ECV具有測量使用方便，價格低的優點；
WEP公司的ECV具有獨特技術可應用于測試電池片的絨面樣片，這也是其被廣泛使用的原因之一；
4. CVP21所能測量的深度范圍是nm---10um;
5. 測量的載流子濃度范圍在10e12cm-3 < N < 10e21cm-3之內都無需校準；
6. 測量擴散樣片時，樣片是保持“Dry in”和“Dry out”，并無需做特別處理；
7. 其所用到的化學試劑本地就能買到，價格低且用量很少買一次可以用好幾年；
8. 從CVP21所測得的數據能帶給研發或工藝人員三方面的信息：一是表面濃度，二是濃度變化曲線，三是結深（見圖）；
9. 表面濃度對于選擇和使用適合的漿料很有幫助，如粘合性，接觸電阻等的匹配問題；
10. 濃度分布曲線對掌握和改進擴散工藝提供依據；
11. 結深的信息對電池工藝的總體把握來說是必須的，也是擴散工藝時常需要抽測的項目之一；
12. 參考：測試出的幾種擴散濃度分布曲線（見圖）；
13. 廣泛的客戶群：Q-CELL， NREL， ISFH， SHELL，ECN，RWE，HMI，SISE尚德，天合，晶澳，英利，交大泰陽，BYD，海潤，晶科，吉陽，南玻，格林保爾…
儀器簡介：電化學ECV，摻雜濃度檢測（C-V Profiling）PN結深測試
電化學ECV可以用于太陽能電池、LED等產業，是化合物半導體材料研究或開發的主要工具之一。電化學ECV主要用于半導體材料的研究及開發，其原理是使用電化學電容-電壓法來測量半導體材料的摻雜濃度分布。電化學ECV(CV-Profiler， C-V Profiler)也是分析或發展半導體光-電化學濕法蝕刻(PEC Etching)很好的選擇。
本設備適用于在半導體生產中的外延過程的性能評估和過程控制，可以測試多種不同的材料，例如：硅， 鍺， III-V 族和 III-N族材料等。CVP 21的模塊化系統結構讓測量半導體材料（結構，層）中的摻雜濃度分布變得高效、準確。選用合適的電解液與材料接觸、腐蝕，從而得到材料的摻雜濃度分布。電容值電壓掃描和腐蝕過程由軟件全自動控制 。
CVP21的系統特點：
*堅固可靠的模塊化系統結構 ．光學，電子和化學部分相對獨立．
*精確的測量電路模塊
*強力的控制軟件，系統操作，使用簡便
*完善的售后服務
提供免費樣品測試并提供測試報告。
保修期：2年，終身維修。
對用戶承諾終身免費樣品測試每月1次。
技術參數：
我們在電化學方分布測試產品方面有超過３０年的經驗和世界上***的電路系統。
全自動，特別適用于新材料，如氮化鎵，碳化硅材料等。
有效檢測: 外延材料、擴散 、離子注入
適用材料: CVP21應用范圍寬，可以用于絕大多數的半導體材料。
IV族化合物半導體如：硅(Si)、鍺(Ge)、碳化硅(SiC)等;
III-V族化合物半導體如：砷化鎵(GaAs)、磷化銦(InP)、磷化鎵(GaP)等;
三元III-V族化合物半導體如：鋁鎵砷(AlGaAs)、鎵銦磷(GaInP)、鋁銦砷(AlInAs)等;
四元III-V族化合物半導體如：鋁鎵銦磷(AlGaInP)等;
氮化物如：氮化鎵(GaN)、鋁鎵氮(AlGaN)、銦鎵氮(InGaN)、鋁銦氮(AlInN)等;
II-VI族化合物半導體如：氧化鋅(ZnO)、碲化鎘(CdTe)、汞鎘碲(HgCdTe)等;
其他不常見半導體材料(可以聯系我們進行樣品測量)。
載流子濃度測量范圍:
*** 1021/cm3； *小 1011/cm3
深度解析度: **無上限；*小可至1 nm （或更低）
模塊化系統結構: 拓撲型結構，實時監控腐蝕過程，適于微小樣品及大尺寸的晶圓，全自動化系統。
主要特點：
CVP21電化學ECV是半導體載流子濃度分布**的解決方案：
1， CVP21應用范圍寬，可以用于絕大多數的半導體材料。
* IV族化合物半導體如：硅(Si)、鍺(Ge)、碳化硅(SiC)等;
* III-V族化合物半導體如：砷化鎵(GaAs)、磷化銦(InP)、磷化鎵(GaP)等;
* 三元III-V族化合物半導體如：鋁鎵砷(AlGaAs)、鎵銦磷(GaInP)、鋁銦砷(AlInAs)等;
* 四元III-V族化合物半導體如：鋁鎵銦磷(AlGaInP)等;
* 氮化物如：氮化鎵(GaN)、鋁鎵氮(AlGaN)、銦鎵氮(InGaN)、鋁銦氮(AlInN)等;
* II-VI族化合物半導體如：氧化鋅(ZnO)、碲化鎘(CdTe)、汞鎘碲(HgCdTe)等;
* 其他不常見半導體材料(可以聯系我們進行樣品測量)。
2， CVP21可用于不同形態的樣品：多層結構的薄膜材料、基底沒有限制(基底導電或絕緣均可)、標準樣品尺寸從4*2mm ~ 8英寸晶圓(更小尺寸樣品請預先咨詢我們)。
3， CVP21擁有很好的分辨率范圍。
* 載流子濃度分辨率范圍從< 1012 cm-3 ~ > 1021 cm-3
* 深度分辨率范圍從1nm ~ 100um (依樣品類型、樣品質量決定)
4， CVP21是一套完整的電化學ECV測量系統。
* 系統可靠性高(儀器的電子、機械、光學、液體傳動幾個主要部分均經特殊設計)
* 免校準的系統(完全自校準的電子系統，電纜電容均無須用戶再次校準)
* 易于使用(全用戶管理軟件優化，在實驗室環境或生產環境均易于使用)
* 照相機鏡頭控制(過程在線由彩色照相機鏡頭控制；每次測量后，鏡頭數據均可取出。)
* 實驗菜單(測量菜單預定義，優先權用戶可以很容易修改或改進測量菜單)
* Dry-In/Dry-Out: Auto-Load/Unload/Reload (電化學樣品池自動裝載/卸載/再裝載，優先權用戶易于修改，進行樣品dry-in/dry-out處理。)
全自動電化學CV分布儀 CVP21光伏太陽能領域的**! 眾多科研和半導體領域用戶的的**!
本設備適用于評估和控制在半導體生產中的外延過程并且以被使用在多種不同的材料上， 例如：Silicon， Germanium， III-V including III-Nitrides.
CVP21的凈室和模塊化的系統設計結構使得本系統可以高效率，準確的測量半導體材料（結構，層）中的摻雜濃度分布．選用合適的電解液與材料接觸，腐蝕，從而得到材料的摻雜濃度分布。電容值電壓掃描和腐蝕過程由軟件全自動控制
CVP21的系統特點
- 堅固可靠的模塊化系統結構 ．光學，電子和化學部分相對獨立．
- 精確的測量電路模塊
- 強力的控制軟件，系統操作，使用簡便
- 完善的售后服務
全自動， 特別適用于新材料， 如氮化鎵， 碳化硅材料，多晶硅等等。
有效檢測:
- 外延材料
- 擴散
- 離子注入
適用材料:CVP21應用范圍寬，可以用于絕大多數的半導體材料。
IV族化合物半導體如：硅(Si)、鍺(Ge)、碳化硅(SiC)等…
III-V族化合物半導體如：砷化鎵(GaAs)、磷化銦(InP)、磷化鎵(GaP)等…
三元III-V族化合物半導體如：鋁鎵砷(AlGaAs)、鎵銦磷(GaInP)、鋁銦砷(AlInAs)等…
四元III-V族化合物半導體如：鋁鎵銦磷(AlGaInP)等…
氮化物如：氮化鎵(GaN)、鋁鎵氮(AlGaN)、銦鎵氮(InGaN)、鋁銦氮(AlInN)等…
II-VI族化合物半導體如：氧化鋅(ZnO)、碲化鎘(CdTe)、汞鎘碲(HgCdTe)等…
其他不常見半導體材料(可以聯系我們進行樣品測量)。
載流子濃度測量范圍:
- ** 1021/cm3
?*小 1011/cm3
深度解析度:
- **無上限
- *小可至1 nm （或更低）
模塊化系統結構:
- 拓撲型結構
- 實時監控腐蝕過程
- 適于微小樣品及大尺寸的晶圓
全自動化系統:
- 精密的電路，電子系統
- 強力的軟件
