粉體行業在線展覽
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上海納騰儀器有限公司
日本
面議
1047
品牌：Elionix
型號：ELS-F125/F100/HS50
關鍵詞標簽：電子束曝光，電子束直寫
簡短描述：（<40字）：利用電子束在抗蝕劑上書寫納米級圖案，通過ELB設備曝光和顯影，可用于加工sub-10nm的精細結構。
一、簡介
ELS-F125是Elionix推出的世界上*早的加速電壓高達125KV的電子束曝光系統之一，其可加工線寬下限為5nm的精細圖形。(以下參數基于ELS-F125)
ELS-F125具有以下優點：
l超高書寫精度
- 5 nm 線寬精度 @ 125 kV
- 1.7 nm 電子束直徑&鄰近效應*小化 @ 125 kV
l高通量、均勻性好
- 超大視野書寫:500um視場下10 nm線寬
- 高束流下電子束直徑依然很小，高通量而不影響分辨率，2 nm 電子束直徑@ 1 nA
l界面用戶友好
基于Windows系統的CAD和SEM界面:
-簡單易用的圖案設計功能
-易于控制的電子束條件
二、主要功能
l主要應用
納米器件的微結構
集成光學器件，如光柵，光子晶體等
NEMS結構，復雜精細結構
光刻掩模板，壓印模板
l技術能力
型號 | ELS-F125 | ELS-F100 | ELS-HS50 |
電子槍 | ZrO/W 熱場發射槍 | ZrO/W 熱場發射槍 | ZrO/W 熱場發射槍 |
加速電壓 | 125 kV， 75 kV， 25 kV | 100 kV， 50 kV， 25 kV | 50 kV， 20 kV |
*小束流直徑 | Φ 1.7 nm (@ 125 kV) | Φ 1.8 nm (@ 100 kV) | Φ 2.8nm (@ 50 kV，1 nA) |
*小線寬 | 5 nm or less (@125 kV) | 6 nm or less (@100 kV) | 20 nm (@ 50 kV， 2 nA) |
電子束束流 | 5 pA to 100 nA | 20 pA to 100 nA | 1 nA to 1 μA |
視場范圍 | Max. 3，000 μm ｘ 3，000 μm | Max. 3，000 μm ｘ 3，000 μm | Max. 3，000 μm ｘ 3，000 μm |
Min. 100 μm ｘ 100 μm | Min. 100 μm ｘ 100 μm | Min. 100 μm ｘ 100 μm | |
束流定位 | Max. 1，000，000 ｘ 1，000，000 (20bit DAC) | Max. 1，000，000 ｘ 1，000，000 (20bit DAC) | Max. 1，000，000 ｘ 1，000，000 (20bit DAC) |
束流定位分辨率 | Min. 0.1 nm | Min. 0.1 nm | Min. 0.1 nm |
大樣品尺寸 | 8" wafer or 7" square mask | 8" wafer or 7" square mask | 8" wafer or 7" square mask |
三、應用
