粉體行業在線展覽
Helios 5 DualBeam FIB
面議
賽默飛世爾科技
Helios 5 DualBeam FIB
6952
新一代的賽默飛世爾科技 Helios 5 DualBeam 具有 Helios 5 產品系列業界**的高性能成像和分析性能。它經過精心設計,可滿足材料科學研究人員和工程師對*廣泛的 FIB-SEM 使用需求,即使是**挑戰性的樣品。
Helios 5 DualBeam 重新定義了高分辨率成像的標準:**的材料對比度,*快、*簡單、*精確的高質量樣品制備,用于 S/TEM 成像和原子探針斷層掃描(APT)以及**質量的亞表面和 3D 表征。在 Helios DualBeam 系列久經考驗的性能基礎上,新一代的 Helios 5 DualBeam 進行了改進優化,所有這些都旨在確保系統處于手動或自動工作流程的**運行狀態。
半導體行業技術參數:
<
Helios 5 CX | Helios 5 HP | Helios 5 UX | Helios 5 HX | Helios 5 FX | ||
樣品制備與 XHR 掃描電鏡成像 | *終樣品制備 (TEM薄片,APT) | STEM 亞納米成像與樣品制備 | ||||
SEM | 著陸電壓 | 20 eV~30 keV | 20 eV~30 keV | |||
分辨率 | 0.6 nm@15 keV | 0.6 nm@2 keV | ||||
1.0 nm@1 keV | 0.7 nm@1 keV | |||||
1.0 nm@500 eV | ||||||
STEM | 分辨率@30 keV | 0.7 nm | 0.6 nm | 0.3 nm | ||
FIB制備過程 | **材料去除束流 | 65 nA | 100 nA | 65 nA | ||
*終**拋光電壓 | 2 kV | 500 V | ||||
TEM樣品制備 | 樣品厚度 | 50 nm | 15 nm | 7 nm | ||
自動化 | 否 | 是 | 是 | |||
樣品處理 | 行程 | 110×110 ×65 mm | 110×110 ×65 mm | 150×150 ×10 mm | 100×100 ×20 mm | 100×100×20mm+5軸(S)TEM Compustage |
快速進樣器 | 手動 | 自動 | 手動 | 自動 | 自動+自動插入/提取STEM 樣品桿 |
材料科學行業技術參數:
<
Helios 5 CX | Helios 5 UX | ||
離子光學 | 具有**的大束流性能的Tomahawk HT 離子鏡筒 | 具有**的大束流和低電壓性能的Phoenix 離子鏡筒 | |
離子束電流范圍 | 1 pA – 100 nA | 1 pA – 65 nA | |
加速電圧 | 500 V – 30 kV | 500 V – 30 kV | |
**水平視場寬度 | 在束重合點處為0.9 mm | 在束重合處點為0.7 mm | |
離子源壽命 | 1,000 小時 | 1,000 小時 | |
兩級差分抽吸 | 兩級差分抽吸 | ||
飛行時間校準 | 飛行時間校準 | ||
15孔光闌 | 15孔光闌 | ||
電子光學 | Elstar超高分辨率場發射鏡筒 | Elstar超高分辨率場發射鏡筒 | |
磁浸沒物鏡 | 磁浸沒物鏡 | ||
高穩定性肖特基場發射槍提供穩定的高分辨率分析電流 | 高穩定性肖特基場發射槍提供穩定的高分辨率分析電流 | ||
電子束分辨率 | **工作距離下 | 0.6 nm @ 30 kV STEM | 0.6 nm @ 30 kV STEM |
0.6 nm @ 15 kV | 0.7 nm @ 1 kV | ||
1.0 nm @ 1 kV | 1.0 nm @ 500 V (ICD) | ||
0.9 nm @ 1 kV 減速模式* | |||
在束流重合點 | 0.6 nm @ 15 kV | 0.6 nm @ 15 kV | |
1.5 nm @ 1 kV 減速模式* 及 DBS* | 1.2 nm @ 1 kV | ||
電子束參數 | 電子束流范圍 | 0.8 pA ~ 176 nA | 0.8 pA ~ 100 nA |
加速電壓范圍 | 200 V ~ 30 kV | 350 V ~ 30 kV | |
著陸電壓 | 20 eV ~ 30 keV | 20 eV ~ 30 keV | |
**水平視場寬度 | 2.3 mm @ 4 mm WD | 2.3 mm @ 4 mm WD | |
探測器 | Elstar 鏡筒內 SE/BSE 探測器 (TLD-SE, TLD-BSE) | ||
Elstar 鏡筒內 SE/BSE 探測器 (ICD)* | |||
Elstar 鏡筒內 BSE 探測器 (MD)* | |||
樣品室內 Everhart-Thornley SE 探測器 (ETD) | |||
紅外相機 | |||
高性能離子轉換和電子探測器 (SE)* | |||
樣品室內 Nav-Cam 導航相機* | |||
可伸縮式低電壓、高襯度、分割式固態背散射探測器 (DBS)* | |||
可伸縮STEM 3+ 探測器* | |||
電子束流測量 | |||
樣品臺和樣品 | 樣品臺 | 高度靈活的五軸電動樣品臺 | 壓電陶瓷驅動 XYR 軸的高精度五軸電動工作臺 |
XY | 110 mm | 150 mm | |
Z | 65 mm | 10 mm | |
R | 360° (連續) | 360° (連續) | |
傾斜 | -15° ~ +90° | -10° ~ +60° | |
**樣品高度 | 與優中心點間隔 85 mm | 與優中心點間隔 55 mm | |
**樣品質量 | 樣品臺任意位置 500 g | 樣品臺任意位置 500 g | |
0° 傾斜時** 5 kg | |||
**樣品尺寸 | 直徑 110 mm可沿樣品臺旋轉時 | 直徑 150 mm可沿樣品臺旋轉時 | |
優中心旋轉和傾斜 | 優中心旋轉和傾斜 |
更易于使用:
Helios 5 對所有經驗水平用戶而言都是*容易使用的 DualBeam 系統。操作人員培訓可以從幾個月縮短到幾天,其系統設計可幫助所有操作人員在各種高級應用程序上實現一致、可重復的結果。
提高了生產率:
Helios 5 和 AutoTEM 5 軟件的先進自動化功能,增強的可靠性和穩定性允許無人值守甚至夜間操作,顯著提高樣品制備通量。
改善時間和結果:
Helios
5 DualBeam 引入全新精細圖像調節功能 FLASH (閃調)技術。借助 FLASH
技術,您只需在用戶界面中進行簡單的鼠標操作,系統即可“實時”進行消像散、透鏡居中和圖像聚焦。自動調整可以顯著提高通量、數據質量并簡化高質量圖像的采集。平均而言,FLASH
技術可以使獲得優化圖像所需的時間*多縮短 10 倍。
Scios 2 DualBeam
Helios 5 Laser PFIB TEM
Helios 5 DualBeam FIB
Apreo 2
Axia ChemiSEM
Prisma E SEM
Quattro-
F200C(S)TEM
CleanMill
Murano 525
Talos F200X S/TEM
F200S G2 200kV
場發射掃描電鏡 SEM5000
Veritas
Quattro-
Pharos-STEM
INNO-SCAN 3D掃描儀
KYKY-EM8100
EM-30+
Transcend II
Hitachi FlexSEM 1000
略
美國Fauske 快速掃描絕熱量熱儀-ARSST
MIRA 3 GMU/GMH