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1. 簡介

微結(jié)構(gòu)半導體中子探測器（ MSND）除了具有體積小、時間響應(yīng)快、工作偏壓低以及易于與讀出電子學系統(tǒng)集成等優(yōu)點外，還解決了二維平面半導體中子探測器存在的探測效率極低的問題（＜5％），其在軍用和民用領(lǐng)域都具有良好的發(fā)展前景

2.技術(shù)特征

微結(jié)構(gòu)半導體中子探測器的熱中子探測效率比PIN平面型探測器高2.4倍以上，突破了平面型半導體中子探測器探測效率低的問題，還具有時間響應(yīng)快、體積小、工作偏壓低等優(yōu)點

3.技術(shù)原理

4.應(yīng)用案例

中國工程物理研究院

歐洲散裂中子源（ESS）

5.規(guī)格參數(shù)