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磁控濺射系統

設備特點：

●具有多個濺射靶，可沉積單層、多層薄膜、合金薄膜和摻雜薄膜；

●濺射方式：自下而上濺射、自上而下濺射可選；

●基片臺可加熱，可制備單晶薄膜；

●可選配輔助清洗離子源，有效提高薄膜的附著力；

技術指標

●靶材數量：2-4個

●基片尺寸：2-8英寸

●基片臺轉速：5-30rpm，轉速連續可調

In-line磁控濺射系統

設備特點

●臥室雙腔結構，工件盤在上料室裝片，在濺射室進行掃描運動濺射成膜；

●上料室預抽真空，保證濺射室良好的真空環境，實現連續生產；

●配置基片烘烤、清洗功能；

●用戶具有多級操作權限，具備一鍵式全自動工藝運行，歷史數據可查詢。

●靶材利用率高

技術指標

●基片尺寸：** 400mm × 400mm 

●工件盤掃描速度：50mm/s ～ 200mm/s ，連續可調

應用范圍

　　在平面基片表面鍍制各種金屬、非金屬、化合物等薄膜材料。如Al、Cu、Au、Pt、Ti、Ni、W、NiCr、TiW、SiO2、Al2O3、TiO2、ZnO、TaN、ITO等薄膜。