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面議
993
靈敏度:對半導(dǎo)體材料電學(xué)缺陷有**靈敏度
溫度范圍:液氮(77k)至500k。可選:液氦(4k)或更高溫度
衰減常數(shù)范圍:20納秒到幾毫秒
沾污檢測:電學(xué)陷阱基本性能確定:激活能和陷阱的俘獲截面,受溫度和注入水平影響的少子壽命參數(shù)等
重復(fù)性:> 99.5%,測量時間:< 60分鐘。液氮消耗:2升/次
靈活性:從365 nm 到1480nm,根據(jù)不同材料選擇不同波長激發(fā)光源
可訪問性:基于IP的系統(tǒng)允許來自世界任何地方的遠(yuǎn)程操作和技術(shù)支持
圖2.不同缺陷的評價 圖3.Arrhenius曲線圖
從Arrhenius斜率(圖3)可以確定活化能。利用這種新型MDPpicts設(shè)備,可在20~500k范圍內(nèi)測量溫度依賴性的瞬態(tài)光電導(dǎo)。Si, GaAs, InP, SiC和其他很多半導(dǎo)體材料已成功采用了這種方法進(jìn)行研究。
XRD-晶向定位
CVD 真空化學(xué)氣相沉積設(shè)備
自動劃片機(jī)
BTF-1200C-RTP-CVD
HSE系列等離子刻蝕機(jī)