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等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積（Oxford Plasmalab System100 PECVD）

原理：

·在保持一定壓力的原料氣體中，借助射頻功率產(chǎn)生氣體放電，使含有薄膜組成原子的氣體電離，在局部形成等離子體。在氣體放電等離子體中，由于低速電子與氣體原子碰撞，產(chǎn)生正、負(fù)離子之外，還會產(chǎn)生大量的活性基，從而大大增強(qiáng)反應(yīng)氣體的化學(xué)活性。這樣，在相對較低的溫度下，很容易發(fā)生反應(yīng)，在基片上沉積出所期望的薄膜。由于PECVD技術(shù)是通過反應(yīng)氣體放電來制備薄膜的，有效的利用了非平衡等離子體的反應(yīng)特征，從根本上改變了反應(yīng)體系的能量供給方式。

一般說來，采用PECVD技術(shù)制備薄膜材料時(shí)，薄膜的生長主要包含以下三個基本過程：

首先，在非平衡等離子體中，電子與反應(yīng)氣體發(fā)生初級反應(yīng)，使得反應(yīng)氣體發(fā)生分解，形成離子和活性基團(tuán)的混合物；

其二，各種活性基團(tuán)向薄膜生長表面和管壁擴(kuò)散運(yùn)運(yùn)輸運(yùn)，同時(shí)發(fā)生各反應(yīng)物之間的次級反應(yīng)；左后，到達(dá)生長表面的各種初級反應(yīng)和次級反應(yīng)產(chǎn)物被吸附并于表面發(fā)生反應(yīng)，同時(shí)伴隨有氣相分子物的再放出。

PECVD的優(yōu)點(diǎn)是：基本溫度低，沉積速率快，成模質(zhì)量好，針孔較少，不易龜裂。

技術(shù)指標(biāo)：

·可蒸發(fā)不同厚度的SiO2 和SiNx薄膜，廣泛應(yīng)用于物理，生物，化學(xué)，材料，電子等領(lǐng)域。

·沉積薄膜種類：SiO2，SiNx，SiONx

·基底溫度：小于400℃

·薄膜均勻性：±3%（4英寸）

·裝片：小于6英寸的任意規(guī)格的樣品若干