粉體行業在線展覽
面議
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TotalProtect Process - 美國**9,543,173 B2-用施加的電壓和冷卻系統解封裝。
PlasmaEtch Process - 美國**9,548,227 B2 - 使用等離子體放電管的微波誘導等離子體。
**行業的化學芯片開封系統----JetEtch Pro
美國 Nisene Technology Group 生產的 JetEtch 自動開封機,可采用雙酸刻蝕,并利用負壓噴霧技術進行刻蝕。根據不 同的器件封裝材料和尺寸,可設定不同的試驗條件,進行定位刻蝕。主要可設置的試驗參數包括:采用刻蝕酸的種 類、刻蝕酸的比例、蝕刻溫度、蝕刻時間、酸的流量(酸的用量)、清洗的時間等。同時采取漩渦噴酸的方式,可大 大降低用酸量,從而能夠比較精確地去除掉芯片表面的封裝材料,達到較好的開封效果。根據器件的不同封裝形式, 可選取不同封裝開口模具,可控制開口的位置和大小,目前配有的開口模具有多種,基本滿足目前的封裝需要,如 適用 DIP/SIP,PLCC,OFP,PBGA,芯片倒裝 BGA 和 S0 小外型封裝。
Nisene 是****的專注從事失效分析自動開封、IC 芯片去層、塑封蝕刻技術研究和設備制造的美國公司,有著 28 年的自動開封和蝕刻研發制造歷史, Nisene 科技公司很榮幸的介紹我們的新一代酸液自動化開封 機 (Decapsulator)。我們命名為 JetEtch pro,正如其名,一個符合當今 IC 封裝之開封機設計要求,新型 Jetetch 開封機秉持著我們對半導體去除處理的一貫的承諾證明了 Nisene 科技公司為符合現在直至來失效分析專業需求而 提供創新,高質量設備產品的傳統; 今日 JetEtch pro 硬件,操作系統和軟件完全重新設計并保留了以前熟悉的、精 密的設計以呈現比以往更靈活設計的開封機。 JetEtch pro 操作簡易、直覺的軟件透過簡單編程的順序逐步引導操作 員。一但設定完成,只以二個擊鍵便使軟件能完成一整個蝕刻程序。?
JetEtch Pro自動解封裝置作用和特點:基于以下原因,我們需要將IC塑封材料進行去除:
1. 檢查IC元件為何失效;
2. 執行質量控制檢測和測試;
3. 為了研發的要求對芯片的設計進行修訂。
*初出現的是手動開封,為了檢查芯片的一些缺陷而手動去除芯片外面包裹的塑封材料。但是手動開封存在著安全性不夠高,重復性較差,精度控制非常低,開封速度不夠快等問題。為此在這個基礎上NISENE研制出自動開封機JetEtch Pro,以解決手動開封存在的問題。JetEtch Pro系統通過用酸腐蝕芯片表面覆蓋的塑料能夠暴露出任何一種塑料IC封裝內的芯片。去處塑料的過程又快又安全,并且產生干凈無腐蝕的芯片表面。整個腐蝕過程是在一定壓力下的惰性氣體中完成的,不但能降低金屬氧化而且降低了產生的廢氣。這套系統被設計成在極少培訓的條件下安全并易于使用。
JetEtch pro CuProtect 一些特性和優點表現如下:
1. 銅線開封技術,**的離子保護銅線技術。
2. 一條高亮度六線字母數字的顯示在所有情況排煙柜的照明下保證**的可見性;
3. JetEtch pro CuProtect 為不同的構裝類型可充分地編輯程序和存放 100 組蝕刻程序。JetEtch pro CuProtect 在產業呈 現的準確性和功能性無可匹敵;
4. 溫度選擇和自動精確溫度檢測;升降溫時間快,硝酸與硫酸的切換使用只需很小的時間;
5. JetEtch pro CuProtect 酸混合選擇:JetEtch pro CuProtect 軟件可以使用硝酸、硫酸或混合酸,另含 13 組混酸比率;
6.具有**技術的泵浦可以達到精準酸的配比和*快的腐蝕效率
7. 蝕刻劑混合選擇確保準確性及重復率,1ml~6ml/sec 的酸量選擇能提供更好的腐蝕效果;
8. ** JetEtch pro CuProtect 電氣泵和蝕刻頭配件組;
9. 蝕刻劑流向選擇:渦流蝕刻和脈沖蝕刻,JetEtch pro CuProtect 廢酸分流閥;
10. 不會有機械損傷或影響焊線;不會有腐蝕性損傷或影響外部引腳;可以選擇硝酸、冷硫酸進行沖洗或不沖洗;
11. 無需等待,完全腐蝕一顆樣品*多只要 1~2 分鐘;
12. 通常使用的治具會與設備一同提供;通常情況不需要樣品制備;
13. 酸和廢酸存儲在標準化的酸瓶中;
14. 設備小巧,只需很小的空間擺放;安全蓋凈化:安全、簡單、牢靠。
例子:
詳細參數:
尺寸
主機(mm/英寸) 290高x 290寬x 419深/ 11.5高x 11.5寬x 16.5深
瓶柜(mm/英寸) 230高x 110寬x 110深/ 9高x 4.25寬x 4.25深
重量(KG/磅)
17 / 38 (包含瓶柜和附件)
電源
350 W @ 95 - 130 VAC or 350 W @ 210 - 250 VAC
壓縮空氣/氮氣要求
壓縮空氣4.2 kg/cm2/ 60 –100 psi
氮氣供應 2.8公升/分鐘 / 0.1 立方英尺/分鐘
可用的蝕刻液
蝕刻液流量:脈沖模式1、2、5或1-10mL/min;渦流模式1-6mL/min
煙硝酸
煙硫酸
硫酸(濃縮試劑)
硝酸:硫酸混合比例:6:1, 5:1, 4:1, 3:1
硫酸:硝酸混合比例6:1, 5:1, 4:1, 3:1
溫度范圍
硝酸 20 – 90(°C)
硫酸20 – 250(°C)
混合酸20 – 100(°C)
蝕刻時間和方式
(用戶可選)
1–1800秒可調,1秒的增量
脈沖蝕刻模式,渦流蝕刻模式
程序容量: 100,用戶自定義
升溫時間
(用戶可選)
0 – 120秒可調,1秒的增量
清洗
硫酸、硝酸,無須清洗
儲液器
500mL或1升瓶
33/38/40/45mm蓋的尺寸
4個瓶子: 2個裝酸, 2個裝廢液